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半导体的霍尔效应
1. P型半导体霍耳效应的形成过程 §4.6 半导体的磁阻效应 由于磁场的存在引起电阻的增加，称这种效应为磁阻效应。 * 一、P型半导体霍尔效应 §4-5 半导体的霍尔效应 Bz d b VH I l B A z y x ○ + _ fεx fL f εy 电场力：fε=qεx 磁场力：fL=qVxBz y方向的电场强度为：εy 平衡后： fεx fL qεy 令： （RH）P为P型材料的霍尔系数。 两种载流子同时存在 霍尔效应 ？ 有四种横向电流分量： 二、两种载流子同时存在时的霍尔效应 1/T RH (－) 1/T RH (+) (+) (－) (－) (2) p型半导体 1/T RH (－) (－) (3) N 型半导体 四、霍尔效应的应用 1．判别极性，测半导体材料的参数 2．霍尔器件 3．探测器 一、磁阻效应的类型 按电磁场的关系分 纵向磁阻效应： B//?，磁阻变化小，不产生VH 横向磁阻效应： B??，磁阻变化明显，产生VH 按机理分： 由于电阻率?变化引起的R变化 —物理磁阻效应 由于几何尺寸l/s的变化引起的 R变化 —几何磁阻效应 *
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