第九章。1.ppt

半导体存储器 9.1 只读存储器（ROM） 只读存储器 固定ROM 可编程ROM 可擦除可编程ROM 随机存储器 双极型RAM MOS型RAM 静态 动态 串行存储器 9.1.1 ROM的结构和工作原理 ROM由地址译码器、存储矩阵和 输出电路构成 存储矩阵 地 址 译 码 器 输出电路 A0 A1 Ak W0 W1 WM-1 b0 b1 …bN-1 … D0 D1… DN-1 1 1 1 1 1 1 Vcc A1 A0 W1 W0 W2 W3 地址译码器 字线 位线 b0 b1 b2 b3 D1 D0 D2 D3 存 储 矩 阵 输出电路 4×4位二极管ROM结构 地址输入 选中字线 ROM输出 A1A0 D3D2D1D0 00 W0 1010 01 W1 1110 10 W2 0101 11 W3 1101 与 阵 列 A1 A1 A0 A0 W0 W1 W2 W3 D3 D2 D1 D0 或 阵 列 ROM的阵列图 由该阵列图可得：W0=A1A0 W1=A1A0 W2=A1A0 W3=A1A0 D0= W2 + W3 =A1A0 + A1A0 D1= W0 + W1 =A1A0 + A1A0 D2= W1 + W2 + W3 =A1A0 + A1A0 + A1A0 D3= W0 + W1 + W3 =A1A0 + A1A0 + A1A0 9.1.2 固定 ROM 生产厂把信息写入存储器，用户不能更改 9.1.3 可编程 ROM（PROM） 位线Yi 字线Wi VCC PROM存储单元 熔丝 出厂时，熔丝是接通的，即存储的内容为全1，使用时，若要将某些单元的内容改写为零，只须给这些单元通以足够大的电流，将熔丝烧断即可。 9.1.4 可改写 ROM（EPROM） 位线Yi 字线Wi PROM存储单元 D S G 浮置栅 选择栅极 写入信息时，将相当高的电压同时加在SIMOS管（即叠栅MOS）（采用浮栅技术）的漏极和选择栅极上，此时会有部分电子穿透二氧化硅层到达浮置栅上。当浮置栅上被注入足够多的电子后，管子的开启电压将比注入前提高。表示该单元存储信息为1。 iDS 0 vGS VT1 VT2 浮置栅有电子 浮置栅无电子 9.1.5 电擦除可编程 ROM（E2PROM） 字线Wi D T1 S G 浮置栅 控制栅极 位线Yi T2 E2PROM的存储单元 在E2PROM的存储单元中 采用了浮栅隧道氧化层MOS 管（简称隧道MOS管）（也是采用浮栅技术），该管的特点是浮置栅与漏区之间有一个氧化层极薄的隧道区，存储单元的信息可以利用一定宽度电脉冲擦除。 T2 T1 Wi Yi T2 T1 Wi Yi T2 T1 Wi Yi 读出状态 写1状态 写0状态 +5V +3V +20V +20V +20V +20V 0V 0V E2PROM的存储单元的 三种工作状态 9.1.6 快闪存储器（Flash Memory） 快闪存储器既具有EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保留 了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性，而且集成度可以更高。 位线Yi 字线Wi 快闪存储器存储单元 D S G 快闪存储器结构与SIMOS管类似，但浮栅到衬底间氧化层更薄，可以通过在源极加一正电压，使浮栅放电，从而写入“0”，写“1”方式与EPROM相同 9.1.7 ROM的应用 1）用ROM实现组合逻辑函数 例9.1.1试用ROM实现组合逻辑函数F1=AB+AC, F2=AB+BC B C 1 A 1 1 m0 m7 (D0)F1 (D1)F2 F1=ABC+ABC+ABC+ABC F2=ABC+ABC+ABC+ABC * 第四章 组合逻辑电路 * 数字显示 译 码 器 BCD码 3. 数字显示译码器 七 段 数码管 (1) 七段数码管 半导体 数码管 液 晶 数码管 共阳极 共阴极 * 第四章 组合逻辑电路 * (a) 外形图 (b) 等效电路 图 4.2.13 C－391E * 第四章 组合逻辑电路 * (2) 数字显示译码器7448 简化符号 A3～A0：8421BCD输入端 Ya～Yg：七段输出端 LT：灯光测试输入端 RBI：串行灭零输入端 BI / RBO：熄灭输入/串行灭零输出端