哈理工数字IC实验3.doc

哈尔滨理工大学 软件与微电子学院 实 验 报 告 （2017-2018第一学期） 课程名称： 数字IC 班 级： 集成15-1 学 号： 1514020114 姓 名： 卢轶 实验全过程记录 实 验 名 称 Lab 3 NAND VTC 时间 2学时 地点 202 姓 名 卢轶 学号 1514020114 班 组 同实验者 学号 班 组 一、实验目的： 通过对NAND的VTC曲线的仿真,掌握 NAND的VTC的原理。 二、实验内容： 1. 使用0.18um的工艺，写出2输入与非门的HSPICE网表，仿真出VTC曲线。 2. 仿真其逻辑功能 三、实验用设备仪器及材料： 软件需求：HSPICE 硬件需求：微型计算机 四、实验原理图： 五、实验方法及步骤： 1．根据电路结构编写网表 2．编译 3．调试、直到运行成功 4.观察输出波形 六、实验结果分析： 1、网表： 1、 *nand2 .include C:\lib\180nm_bulk.l .param Supply=1.8 .global Vdd Gnd .opt scale=0.1u Vdd Vdd Gnd Supply .subckt nand2 a b f mandpa f a vdd vdd PMOS l=2 w=4 ad=20 pd=4 as=20 ps=4 mandpb f b vdd vdd PMOS l=2 w=4 ad=20 pd=4 as=20 ps=4 mandna f a 1 gnd NMOS l=2 w=4 ad=20 pd=4 as=20 ps=4 mandnb 1 b gnd gnd NMOS l=2 w=4 ad=20 pd=4 as=20 ps=4 .ends X1 a b f nand2 *Va a 0 pulse 0 ‘supply’ 0 200ps 200ps 20ns 40ns Vb b 0 pulse 0 ‘supply’ 0 200ps 200ps 30ns 60ns .tran 140ps 100ns .plot tran v(f) .end 2、 *nand2 .include C:\lib\180nm_bulk.l .param Supply=1.8 .global Vdd Gnd .opt scale=0.1u Vdd Vdd Gnd Supply .subckt nand2 a b f mandpa f a vdd vdd PMOS l=2 w=4 ad=20 pd=4 as=20 ps=4 mandpb f b vdd vdd PMOS l=2 w=4 ad=20 pd=4 as=20 ps=4 mandna f a 1 gnd NMOS l=2 w=4 ad=20 pd=4 as=20 ps=4 mandnb 1 b gnd gnd NMOS l=2 w=4 ad=20 pd=4 as=20 ps=4 .ends X1 a b f nand2 Va a 0 pulse 0 ‘supply’ 0 200ps 200ps 20ns 40ns *Vb b 0 pulse 0 ‘supply’ 0 200ps 200ps 30ns 60ns .tran 140ps 100ns .plot tran v(f) .end 3、 *nand2 .include C:\lib\180nm_bulk.l .param Supply=1.8 .global Vdd Gnd .opt scale=0.1u Vdd Vdd Gnd Supply .subckt nand2 a b f mandpa f a vdd vdd PMOS l=2 w=4 ad=20 pd=4 as=20 ps=4 mandpb f b vdd vdd PMOS l=2 w=4 ad=20 pd=4 as=20 ps=4 mandna f a 1 gnd NMOS l=2 w=4 ad=20 pd=4 as=20 ps=4 mandnb 1 b gnd gnd NMOS l=2 w=4 ad=20 pd=4 as=20 ps=4 .ends X1 a b f nand2 Va a 0 pulse 0 ‘supply’ 0 200ps 200ps 20ns 40ns Vb b 0 pulse 0 ‘supply’ 0 200ps 200ps 30ns 60ns .tran 1