绪论与第一章半导体器件的基本方程.ppt

* 微 电 子 器 件 原 理 信息学院 电子科学与技术专业 关艳霞 2012年 总学时数：72 学时 其中课堂讲授：66 学时，实验：6 学时 成绩构成： 期末考试：80 分、考勤：10 分、实验：10 分 参考教材： 半导体器件物理（第3版）. 施敏著. 西安交通大学出版社 2008 教材：晶体管原理与设计（第2版）. 陈星弼，张庆中编.电子工业出版社 2006 课程内容 第一章 半导体器件的基本方程(以自学为主） 第二章 PN结(16学时） 第三章 双极晶体管直流特性(10学时） 第四章 双极晶体管交流特性(10学时） 第五章 双极晶体管功率特性(8学时） 第六章 双极晶体管开关特性(4学时） 第七章 JFET (2学时） 第八章 MOSFET (16学时） 微电子工艺基础 集成电路 微波器件 MEMS 半导体器件物理 传感器 光电器件 微电子 器件原理 应 用 领 域 （前期课程） （相关课程） 据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种 所有这些器件都是由少数的基本模块构成： pn结 金属－半导体接触 MOS结构 异质结 超晶格 半导体器件基础 微电子器件发展简史 1947, 1st Point Contact Bipolar Transistor: Ge Semiconductor, Bardeen, Brattin， Schokley ? Nobel Prize 1948, 1st Junction Bipolar Transistor, Ge Semiconductor, Schokley 1958, 1st Integrated Circuits, Ge Semiconductor, J.Kilby ? Nobel Prize 1959, 1st Planar Integrated Circuits, Noice 1960, 1st MOS Transistor, Kahng, Si Semiconductor 1963, 1st CMOS Circuits, C.T. Sah and F. Wanlass 1947: 第一个晶体管 W. Bratten, W. Shockley 在Ge上制作的双极晶体管 J. Bardeen * 1958: 第一块集成电路 Jack S. Kilby 在一块衬底上，用键 合引线连接两个晶体管。 1960: 第一个由 D. Kahng and M. Atalla 研制的MOSFET Top View Al Gate Source Drain Si Si 断面 1970,71: 1st generation of LSIs DRAM Intel 1103 CPU Intel 4004 1960s IC (Integrated Circuits) ~ 10 1970s LSI (Large Scale Integrated Circuit) ~1,000 1980s VLSI (Very Large Scale IC) ~10,000 1990s ULSI (Ultra Large Scale IC) ~1,000,000 2000s ?LSI (? Large Scale IC) ~1000,000,000 Name of Integrated Circuits Number of Transistors *