多晶硅的检测和生长大全PPT.ppt

多晶硅块检测简介;目录;一、硅的性质;1、硅的物理性质;2、硅的化学性质; 1、导电类型测试 导电类型是一个重要的基本电学参数,根据多晶铸锭时所掺杂的元素,可以将多晶划分为P型和N型两大类.P型多晶中多数载流子是空穴,它主要是依靠空穴来导电;因此P型半导体又可称为空穴半导体;N型半导体则相反。 P型：掺入硼，镓元素或合金。 N型：掺入磷，砷元素或合金。; 在样品上压上三个探针,针距在0.15~1.5mm的范围内在探针1和探针2之间通过限流电阻接上6~24V(一般为12V)的交流电源,在探针2和探针3之间接检流计.根据检流计指示偏转的方向就可以判定半导体的样品是P型还是N型.; PN结:P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。 P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在PN结两侧的积累，形成电偶极层。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时，P区和N区之间形成一定的电势差，称为接触电势差。; 由于P区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层，阻挡层的电阻值往往是组成PN结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。 ;2、电阻率测试;电阻率测试原理(涡流法):;电阻率测试原理示意图;3、少子寿命;少子寿命的测试原理;少子寿命测试图像;4、红外探伤仪;红外探伤仪测试的原理平面图;三、影响少子寿命的主要因素;1、位错;2、碳含量;3、氧含量;4、微晶;5、杂质;附：开方后硅块检测项目及标准;谢谢！;太阳电池用硅片 外观检测装置ＴＤ２００;特征;检查系统构成图;动作录像;基本配置;检查项目一览;上面检查部;表面缺陷检查 污浊,伤痕,指纹等 ;检测例１）污浊不良（单晶） ;检测例２）污浊不良（多晶） ;不可视裂痕 NVCD检查部（0°,90°）;与其他公司比较，可以将更小的裂痕用更清晰的方式检测出来 Crack-Amplifier Technology* 　　　　　　　　　　　　　　　 　　;检测例）细微的内部裂痕 TD200可以在硅片 0°以及 90°放置时检测 可对由于方向不同而造成的检测困难的裂痕做出精确的检测 ;Edge检查部;＜edge检查部概图＞;硅片侧面edge部位容易发生归类于重度不良的。 TD200拥有对硅片4边edge部位进行集中检查的机能。 ;检查例１）检查edge部缺口 ;侧面画像也可确认到不良;可以从edge侧面画像中检查出硅片厚度1/2左右的缺陷;可在edge检查中获取的侧面画像中测定edge部的厚度 （去角部除外）;激光变位器6set（上3/下3） ;厚度（Max,Min,Ave） TTV 线痕 段差 棱线 翘曲 ;检查例１）厚度小不良 ;段层不良 ;;卸料分选部;Thank you for your participations Best wishes to all of you;;公司简介 公司质量方针及质量目标 5S简介及效益 硅片（单晶/多晶）检验知识基本简介 各类检测工具的简介 手检培训流程及内容 机检培训流程及内容;一、公 司 简 介;二、公司质量方针及目标;三、5S简介及效益;革除马虎之心,养成凡事认真的习惯 (认认真真地 对待工作中的每一件小事) 遵守规定的习惯 自觉维护工作环境整洁明了的良好习惯 文明礼貌的习惯;降低物料报废及仓库呆、废料；减少不必要的体力工作。(零浪费) 减少公伤及灾害。(零伤害) 增加机器使用率。(零故障) 提高生产品质。(零不良) 减少品质不良。(零抱怨);减少产品延迟交货。(零延迟) 扩大厂房的效用。 增加认同感（较有制度）。 外宾参观时，觉得有面子。 走道畅通，地板不再乱放物品，感觉工作场所气氛比较好。; ; ;外观类定义：在光照度≥700Lux下，外观全检，外观类均目测。 不得有碎片、缺角、裂纹、脏污、孔洞、未加工好、色差、孪晶等。如下图示:; ;不良名称：针孔（Hole); ; ; ; ;不良名称：缺口/缺角（Chipped Corner);不良名称：碎片(Broken wafer );不良名称：翘曲（Warp);测量时，放在水平测试台（花岗岩平台）上，使用工具塞尺测量。 如：图3 ;不良名称：弯曲(Bend );不良名称：线痕(Saw Mark ); ;不良名称：台阶(Step patch );不良名称：崩边(Edge defect );标准范围： 合格：长≤0.5；深≤0.3; 每片片子崩边数≤２个 让步：长不限；深≤0.5；每片片子崩边数≤２个 不合格：深＞0.5;每片片子崩边数＞2个 备注：检验时，发现崩边要注意