微机原理课件 第4章 半导体存贮器2.ppt

三、 只读存贮器(ROM) 掩模工艺ROM 可一次编程ROM EPROM、EEPROM EPROM、EEPROM存储容量大，可多次擦除 厂家提供独立的擦除器、编程器 1、EPROM 用紫外线对其窗口进行照射即可擦去 所存储的内容. 可用电的方法对其重新编程，写入新 的内容 一旦写入即可长期保存 1） 2764的引线 2764为 8K×8bit 的芯片; 其引线与RAM芯片6264兼容; 软件调试时，程序在RAM中; 调试完成后，再固化到EPROM， EPROM取代RAM即可. A0~A12为13条地址信号输入线 D0~D7为8条数据，表明芯片的每个存贮单元存放一个字节，在其工作过程中， D0~D7为数据输出线；当对芯片编程时，由此输入待编程的数据。 CE为选片信号，或允许芯片工作信号； OE是输出允许信号 PGM 为编程脉冲输入端： 当对EPROM编程时，由此加入编程脉 冲。读时PGM为1 。 2） 2764的连接使用 2764使用时，仅用于将其存储的内容读出。 3） EPROM的编程 (1) 擦除 刚出厂的EPROM是干净的，通常是每个存储单元的内容都是FFH 使用专门的擦除器可以将其内容擦除干净（利用紫外线照射其窗口，通常需要15~20分钟），即将每个存储单元的内容恢复至FFH。 (2) 编程 两种编程方式：标准编程、快速编程 标准编程的过程 a) 将EPROM插入专门的编程器。 b) VCC加上+5V， VPP加上EPROM 所要求的高电压（+12.5V, +15V, +21V, +25V等）。 c) 加上待编程单元的地址，数据线上加上待写入的数据，CE保持低电平，OE保持高电平。 d) 上述信号稳定后，在PGM端加上50±5ms的负脉冲，即将一个字节的数据写至相应的地址单元。 e) 重复上述过程，即可将待写入的数据一一写入响应的地址单元。 f) 每写入一个单元，若保持其它信号不变，OE变低即可读出校验。 g) 若写入有误，则从擦除开始，重新上述过程。 快速编程 标准编程两大缺点：编程时间过长、编程脉冲太宽（导致功耗过大而损坏EPROM）。 已研制出快速编程方法。 27C040的编程 用100μs编程脉冲依次写完全部要写的单元。 从头校验每个写入的字节，若错误，则立即重写该单元并立即校验，若再错，则再次重写校验，若如此10次仍错，则认为芯片损坏。 从头至尾对每个编程单元校验一遍。 2） EEPROM(E2PROM) EPROM在擦除时需从系统上取下，而E2PROM可在线进行电擦除。 典型EEPROM芯片介绍 根据制造工艺及芯片容量，EEPROM具有多种型号。有的与相同容量的EPROM完全兼容。 EEPROM NMC 98C64A介绍 容量为8K×8bit A0~A12为13条地址线， D0~D7为8条数据线。 CE为选片信号， OE为输出允许信号，CE=0、OE=0、WE=1时可读出数据。 WE是写允许信号，CE=0、OE=1、WE=0时可写入数据。 READY/BUSY为漏极开路输出端，写入数据时，该信号变低，数据写完后，该信号变高。 98C64A的工作过程 读出数据 读出数据的过程与从EPROM读出数据的过程一样。 写入数据 写入方式：字节方式（一次写入一个字节）、自动页写入（一次写入一页，最多达32字节） EEPROM 98C64A的连接使用 下面的程序可将55H写满98C64. START: MOV AX, 1E00H MOV DS, AX MOV SI, 0000H MOV CX, 2000H GOON: MOV AL, 55H MOV [SI], AL CALL T20MS ;延时20ms INC SI LOOP GOON HLT 闪速(FLASH) EEPROM 28F040的引线 28F040与27C040的引线是相互兼容的。前者可以做到在线编程。 28F040是一块512KB的闪