SiC碳化硅灭磁电阻VI特性-中国励磁专业网.ppt

目 录 集 团 简 介 地 理 位 置 工 厂 环 境 主 要 产 品 服 务 支 持 性 能 特 征 技 术 规 范 参 数 选 择 应 用 实 例 业绩国外部分用户 业绩国内部分用户 MI Materials 地理位置 MI Materials 工厂环境 MI Materials 服务支持 MI METROSIL 性能特征 SiC碳化硅灭磁电阻V-I特性： 在评价非线性灭磁电阻特性时，通常以非线性电阻系数予以表述，相应表达式为： V ＝ K I β 　　 （1） 　 I ＝ HV α （2） 式中 V — 非线性电阻两端的电压； I — 流过非线性电阻的电流； K,H — 非线性电阻位形系数，与非线性电阻的体积形状，电 阻片的串、并联组合以及材质有关； β,α—电阻非线性系数（ β =1/ α ） 。 MI METROSIL 性能特征 对于SiC非线性电阻，由于在较大的电流变化范围内，其电压变化范围相对的较小，不便于查对，为此在实用中多将式（1）及式（2）以对数坐标形式来表示。 对于式（1）其对数表达式为： log V ＝log K + βlog I （3） 在以V－I表示的双对数坐标系中，此时非线性电阻的伏安特性近似为一条直线，如图1所示。 在式（3），当 I=1A时可得出： log V＝ log K 或 V＝ K （4） 式（4）说明，在V－I双对数坐标系中，系数K等于I=1A时，V－I特 性曲线与V轴相交的电压值。 同理由式（2）可得： log I＝log H + αlogV （5） 当V＝1 时，在V－I特性曲线中，与其对应的电流值I=H 下面讨论一下式（1），式（2）中各系数K，H，α及β之间的关系式，由式（2）可求得： MI METROSIL 性能特征 令式（1）等于式 （6），可求得： MI METROSIL 性能特征 对于应用于发电机灭磁回路中的Metrosil SiC非线性电阻， 当其V－I特性以 V＝K I β 表示时，其典型K及β值如表1所示： 　　表1 MI METROSIL 性能特征 －－SiC非线性电阻组合特性表达式 作为灭磁电阻用途的SiC非线性电阻，在实际应用中为了满足灭磁总容量的要求，通常须将电阻片连接为多路串联、并联接线。其V—I 特性表达式将不同于单片的V—I 表达式。 MI METROSIL 产品性能 －－SiC非线性电阻的温度系数 由于SiC非线性电阻的材质特性决定了SiC电阻的温度特性，其特 征是当SiC电阻温度上升时阻值会减少，在应用中其结果为：在恒定 电流负载条件下，其两端电压随温度升高会减少，或者在恒定电压负 载下其电流随温度上升而增加，呈负电阻温度系数特性。 对于Mertrosils SiC非线性电阻有两种应用情况： a. 作为浪涌电压吸收元件，其外加电压为恒定值， SiC电阻连续吸 收能量，由于泄漏电流的存在会使温度增加，一个设计出现的SiC电 阻方案会确保由泄漏电流产生的热能会被其元件自然冷却作用所平 衡，从而补偿了负电阻温度系数的影响。 b. 作为灭磁电阻使用时，只在灭磁回