2009-2010模拟电子技术期中试卷.doc

得分 一、填空题（每空1分，共24分。） 1. 线性失真包括 幅度 失真和 相位 失真。 2. N型半导体的多数载流子是 自由电子 ，少数载流子是空穴 。 3. PN结是由于多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的 漂移 运动达到动态平衡形成的。 4. 半导体二极管具有的主要特性是 单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加 反向电压时，二极管截止。 5．PN结的电击穿包括 雪崩 击穿和 齐纳 击穿。 6. BJT工作在放大区时，其发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。 7． BJT内部载流子的运动包括 发射区向基区扩散其多数载流子， 扩散过来的多数载流子在基区的扩散与复合，扩散到集电结附近的载流子被集电区收集 8．场效应管是利用电场效应来控制电流大小的半导体器件，其内部只有多数载流子参与导电。 9．场效应管的三个电极分别称为 栅极 极、 源极 极和 漏极 极。 10．场效应管的输出特性曲线可以分为 可变电阻区 区、 饱和区 区和 夹断区 区。 得分 二、选择题（每小题2分，共14分。） 1. PN结在反向偏置时,反向电压增大，其耗尽区和电流的变化为(1、D ) 。 A. 耗尽区变窄、电流变大 B. 耗尽区变窄、电流变小 C. 耗尽区变宽、电流变大 D. 耗尽区变宽、电流变小 2. 测得放大电路中BJT各电极对地电压为：VA=4.3V，VB=V，VC=4V，.NPN型硅管 B. PNP型硅管 C. NPN型锗管 D. PNP型锗管 3. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（3、D ） 。 A +5V和-4V B -5V和+4V C +4V和-0.7V D +0.7V和-4V 4.BJT放大电路静态工作点设置太低，可能出现（ 4、A ）。 A．截止失真 B. 饱和失真 C. 线性失真 D.静态失真。 5. 工作在放大区的BJT，IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA，则它的β值为（ ）。 .10 B. 50 C.100 D.200 6．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 （6、B ） 。 A. 耦合电容和旁路电容的影响 B. 晶体管极间电容和分布电容的影响 C. 晶体管的非线性特性 D. 放大电路的静态工作点设置不合适 7．场效应管放大器与BJT管放大器相比，具有( 7、C )。 A. 更大的电压放大倍数 B. 更大的电流放大倍数 C. 更大的输入电阻 D. 更小的输入电阻 得分 三、判断回答题（每小题4分，共12分。） 试分析图1所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路 图1 （a）不行，因为输入信号被短接到地 （b）不行，因为输出端接地 （c）不行，因为N沟道增强性场效应管要求VGS0，该电路不符合 四、分析计算题 （每小题5分，共10分。） 得分 分析判断如图2所示各电路，二极管是导通还是截止，并求出最后AB两点间的电压UAB。 得分 五、作图分析题 （共10分。） 电路如图3（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。 图3 解：空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；(3分)最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。(2分) 带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为3V，有效值约为1.73V。(2分) 如图所示。 (直流负载线与交流负载线各1.5分) 六、计算题（共16分。） 得分 如图4所示的电路，已知BJT在Q点上的=，，Vbe =0.V， V CC =V，R 1 = KΩ，R 2 = KΩ，R =4KΩ，R =2KΩ，C1 = C2 = C =10uF。试(1)确定Q