ch1-9结型　.ppt

1.4.1 结型场效应管; 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 ;1.4 场效应管;1.4 结型场效应管;1.4.1 结型场效应三极管; 源极，用S或s表示;一、结型场效应三极管的工作原理;1、栅源电压对沟道的控制作用; 2、漏源电压对沟道的控制作用;当uDS增加，uGD反偏电压增加，沟道电阻取决于（栅源电压一定）uGS，iD随uDS线性增大，漏源间呈电阻特性。 （负值）uGD=（负值）U GS(off)时，靠漏极处出现预夹断，如图 (b)所示。当uDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。 （负值）uGD （负值）U GS(off)时，沟道夹断使iD减小；漏源间电场使iD增大。 则uDS变化iD几乎不变，只与uGS有关。恒流特性。;锰乖坂霾徐莫鬟軎鲅虍墓蘅窦狙觇??鹆趄笺驻倬督囝芷璃逑薜瞑襻馨;① VGS对沟道的控制作用;综上分析可知; JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线， 二是输出特性曲线。它与MOSFET的特性曲线基本 相同， MOSFET的栅压可正、可负， 结型场效应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负。;# JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？;可变电阻区：预夹断轨迹、近似直线、斜率的倒数为等 效电阻、栅源电压控制漏电流。