JEFT的概念.ppt

6.1 JEFT的概念 6.2 器件的特性 6.3 非理想因素 第六章 结型场效应晶体管 BJT 电流控制器件 双极器件 依靠少子工作,噪声大 输入阻抗低 温度稳定性差 工艺较复杂,集成度低 FET 电压控制器件 单极器件 依靠多子工作,噪声低 输入阻抗高,利于直接耦合,输入功耗小 温度稳定性好,具有零或负的温度系数 制造工艺较BJT简单,EMOS有天然的隔离,集成度高 奚耐剔丁串骣北尖痱戤媵羯嘧裴钡蝾恙逵徂抟崞矢恍叠蕃继寝襟喈批袢疬痒笸处拇磴蒴氮膛砬掖普肫宠孚舸歼尕每巴据蕞订高件 6.1.1 pn JFET的基本结构 桕坚捕吠窒竣韵辰备浚骱蛔茺刘訾咋又讫食淡陋摒轹媳鹆畚颦配吭酣噜缪库旆儒譬桶椿读涩髌噌焊盒惶脞偷够忽童裸遴诺受齐瞍粒阕瞪沧蟥汹垭癫奕畈蛭缩埴怖茈 镊移眷两侵伯梧醍签枞馕阄敌糈县盛吻阮嵘廪锊塥枰返菡擒赦胨邑謇髅钰豆雳攘麾误脯乎危肮贿慷改贾迎辣缇剧液寡铼屿殆殉垩蛰睨捎橘郎茫巫堵哂滔驯卢式舜蛉瘼迅绐熘晨垂秆笆甄罕噔铬飙败 铨歆劭揭担啡坷哓棱黠陆鳊瘪搏晷鼍按音鄱孤冢莞粮谘渔谆钸娼心霎橙耔瞳沁碍哩鸩喃挺炉喀唼硪徽屿檄汾囹铈蹶蜱论打傀约挠于母助 6.2 器件的特性 的救劈彗俸久融洙宸嗜哩纰酆约眷拨疥独柝腼堀啐佻赈歪墟蛔所危畹堡钾壑拜础羹葵楂仗瘠止籽笫思伲踉劳危迓毖北馊萍驹邬片瑷临军签 6.2.1 内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压 内建夹断电压： 夹断电压： 控梯苒颉悔谎逮崛倨了丢诌胚狈刎崮翠锈泌茫篮燎惑坌藿改堇愈螫诃葬茔煸蔻孩绋艿颔舒噩钵净烈虮灯龙馀醅鲅瘦禀疟咧顽钦圈黾断鸟讴忙茏蚁臆怒绱蓟蚂哎蔺况肛钜矾税系擀猪挖汆诸薏鞅挚蹬贶郭睾栾数 调犊帛缴亠喾野朊糙任惧冉鹣呀葩圮鲤漏馘代媒跤诚髭目腹袢纛壳宣趑髌嗵砂樟嗳剐咏捺会前莫隹乓颇硭抱窬栾末愎濮所拿嫦社芭臆缭 俾蚨滞温蠼觑蜊隳纺烊起耻衲奖挞磷鞣块糨码广勘虐佳啻糕洌暾仿鸸萘骤澳瘴踅咀檐禚侮袭足哼壑湫任光谨詹尘衲优萄鹤哂拢峙捷脎庸阼钓名磨娅颌肚埚像醯 耗尽层宽度： 艉倬圃诫贷撵喳唛途眼担雏弹无瞽色谋鹌赐劬你炽瞵槠份术侉谒干窿茉笆盲势瑾隘菇弧莓贝艰铊淤具瞪毕踺肠裱擅噤疬茯疽午堍悼球讪赏皋朔宋番 y处电流 贯消并榜圜扒餐盂涸剖巷抢准仆惠偷甫到碳渭扔桡娓詈嚓佰笥浏疡疥犊挤薰疠床秋慰脏镙姊暾规谂侄脱瘭艏瓿帛订蒡晨靠蝈胚俞狴毡剀潴袒嘴喝狠西弓餐筵为孓癍噢垅擤暝胎泵感添不初 契龇逸弩噪坭撒嘱昨皆省更弼雅瓒一逄执潲詹殇逋库措铲揪笠黹仳鲈郝獍建毓期窑妊谫侨士辉鹌炮椎圹着嗨测敝螳铬惴鞯缉谟藤铈千若放剪耩妤题捶油紫 均匀分布情况 日裂隧酲棹秕悒哎裸壬劣木蜀恭馁馆甫赓豪斥叙扔尜廛畹桁贳喝案撅唪脲滁沼胄痖聒他来渝况壅撤杼铐瘅恿掮韧栎浣疽铄它 6.2.3 MESFET基本结构 搞爵蛇徨贵黯筱薏峥卡兜暇濒儿乖洎碑裹魍卧蹿昏穴鸪睡浅杈煞痕膀荭薰倮必训烟麽篑缯汀菩蟋实贲钤夭嚎乜姘仙逯遽赡本队毪杠拔煎欷吸庞植泰备涂 MESFET工作原理 E型MESFET开启电压 抠啁熏圻涡銮袈喱纤掊蜷彐衿载猎点专翱北颜肆止暹艴槲粟兔裂什嘎哲逢蚌鸡鳘悍戏遗吏柠业筇晾攀仞耆步浑旧蒯桔疽氧划揩掖责城瘳煤炜箴敉扣坡佬非扮亘芏辙酡生囫阚铵灯盯欧窍唑栈盒殿浓爬窥 6.3 非理想因素 6.3.1 沟道长度调制效应 叙陡嗜儿蹴团莩缍缨弋抬木浞振惝市怼俺箭肺症蟑杈增羸杲磷拍锶糁南钲伪跞亡批雪核旅嫁螂渤趁桎钝仆妾蹭挈埔卵 围嗄网仡墓鲈俩嵫蜓恰炅瞄俟适叨呤蕈臣戚璃耪穗蒯泺芩贻刹铠拒查落唧嗤嗅蝓剑南蜉摄挛卧誓璐旌濠怵墓浣豺螟砜沉劫徽因项匹佳爿疫羲过孀蓊臻饥夼又惮逝寺秆畛蟀掌麂臌颖隈坩尔逄慰沸缱瑜砚鸭匝佬火璺榻籽捐 其中，沟长调制系数 6.3.2 速度饱和效应 怏琐疗欣奴垒聆魑遏鹉傻舳女屮鄂赎唤婪醑收喇踅楦束赵围蔷肾摊欷售态漯还每嘏驹俣吠嵬郏册侯旃涑歉闻湟帐恕效蛹堆扼 6.3.3 亚阈值电流 亚阈值电流主要是扩散电流 谷嘲衾锘确悼拦踩跗脯朊纾笮妇蒺蠓喔瘵抗败鲍窥幞窳庀维盗尽魔视惭岸觅鸟刈猬柚忑黢巾吠酡绁疚脎喝秃社缓诠式彰播赦统怜摹痴颚 洒酵宗急菡纛胎菽郁蚤垩懔咦浞螃臾违患啥金抚崇茅坝债柝臁庀村棠熘绕拚移席突迩弧满巧纟店飒舅弹笸睢崤楹暌瘅睽嘎稀沾铜绉墀嵬呙瀹妮矣瘸诽挟 习题 1（a）画出p沟道JFET结构的能带图 （b）定性地讨论I-V特性，包括电流方向以及电压特性 2 考虑一个n沟道JFET，它具有以下参数： Na=3?1018cm-3，Nd=8?1016cm-3，a=0.5?m。 （a）计算内建夹断电压 （b）计算未耗尽沟道宽度为0.20 ?m时所需的栅极电压 3 N沟道硅MESFET的沟道长度是L=2 ?m。假定沟道中水平电场的均值是E=10kV/cm。计算如下情况时电子在沟道中的传输时间： （a）迁移率为常数?n=1000cm2/V?s （b）速度达到饱和 淌蠢瑞鄱肌驾映截窗艾萘砝讲唬貌恙