M21 三极管基本特性的测试.ppt

※ 按工作频率分为低频管和高频管， ※ 按耗散功率大小分为小功率管和大功率管， ※ 按用途分为放大管、开关管和功率管， ※ 按所用的半导体材料分为硅管和锗管等。 目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型，其中硅管的使用率远大于锗管。 （1）发射区向基区注入电子 形成发射极电流IE （2）电子在基区的扩散与复合 形成基区复合电流IBN （3）集电区收集扩散到集电结边缘的电子 形成了电流ICN 形成了反向饱和电流ICBO 例：某三极管放大电路，测得各管脚电流分别为I1=0.06mA，I2＝3mA，I3＝3.06mA，判断管脚类型，求解α，β 解：I3I2I1 3－E，2－C，1－B α＝IC/IE=I2/I1=0.98 β=IC/IB=I2/I1=50 如何用数字万用表测量三极管的β值？ hFE e b c S9013 N　P　N e b c 注意: 晶体管的共发射极电流 放大系数β在几十至几百之间 任务2.1.2 三极管共射输入特性 曲线的测试 做一做 ① 按图2.12接好电路，并在基极回路串接?A电流表，在集电极回路串接mA电流表。 ② 不接电源电压VCC，将三极管c，e间短路（相当于uCE=0）。 ③ 接入并调节电源电压VBB，使uBE或iB为表2.2中所给的对应于uCE=0时的各数值，并测出此时相应的iB或uBE，将结果填入表中。 任务2.1.2 三极管共射输入特性曲线的测试 测试电路如图所示，其中RB为100k?，RC为1k?，VT为三极管S9013。 ④ 去掉三极管c-e间短路线，接入电源电压VCC=20V（此时可保证uCE＞1V）。 ⑤ 调节电源电压VBB，使uBE或iB为表2.2中所给的对应于uCE＞1V时的各数值，并测出此时相应的iB或uBE值，将结果填入表中。 ⑥ 根据表2.2的测试结果，画出三极管共射输入特性曲线（两条）。 80 80 60 40 20 10 iB/?A 0.5 0 uBE/V uCE＞1V 80 80 60 40 20 10 iB/?A 0.2 0 uBE/V uCE=0 表2.2 共射输入特性的测量结果 任务2.1.2 三极管共射输入特性曲线的测试 80 0.67 80 0.64 100 0.67 100 0.65 60 40 20 10 0.01 0 iB/?A 0.66 0.66 0.65 0.64 0.5 0 uBE/V uCE＞1V 60 40 20 10 0.01 0 iB/?A 0.63 0.62 0.59 0.57 0.2 0 uBE/V uCE=0 数据结果分析 三极管输入电路: 对于每一个给定的uCE，都有一个相应的iB与uBE之间的关系曲线与之对应。因此，可将uCE作为参变量，从而可得到有若干条（理论上为无穷条）曲线的iB与uBE之间的共射输入特性曲线簇。 三极管的共射输入特性曲线 iB（μA） uBE（V） 0 0.4 0.8 20 60 40 80 uCE ≥ 1v uCE=0V 特点：1. uCE =0V时特性曲线类似于一个二极管 2. uCE ≥1V和uCE =0V的两条输入特性曲线可见，uCE ≥1V的特性曲线向右移动了一段距离，且曲线基本重合。 3. 发射结电压uBE也存在一个导通电压（或死区电压、门坎电压）Uon， 4. 对于小功率管， 硅管│Uon│≈0.5V，锗管│Uon│≈0.1V。 三极管正常工作时，小功率管的iB一般为几十微安到几百微安， 任务2.1.3 三极管共射输出特性 曲线的测试 做一做 任务2.1.3 三极管共射输出特性曲线的测试 ① 按图2.15接好电路，并在基极回路串接?A电流表，在集电极回路串接mA电流表。 ② 接入电源电压VBB=0V，VCC=30V。 ③ 调节电源电压VBB ，使iB为表2.3中所给的各数值；对应于每一个iB，调节电源电压VCC使UCE为表2.3中所给的各数值，测出此时相应的iC值，将结果填入表2.3中。 表2.3 共射输出特性的测量结果 iC/mA 0 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 5 10 uCE/V iB=0 iC/mA 0 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 5 10 uCE/V iB=20?A iC/mA 0 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 5 10 uCE/V iB=40?A iC/mA 0 0.1 0.2 0.3 0