[信息与通信]CMOS集成电路版图Tanner L-Edit设计入门.ppt

主要内容： 版图设计概念； 版图设计流程及在IC设计中的位置； Tanner版图流程举例（反相器等）。 版图设计概念 定义：版图设计是创建工程制图（网表）的精确的物理描述过程，而这一物理描述遵守有制造工艺、设计流程以及通过仿真显示为可行的性能要求所带来的一系列约束。 版图设计流程 流程的定义：流程是一系列有效方法的集合，应用这些方法，可以实现和验证一个设计思想的有效描述，使最终的结果显示出预期功能的适当特性。 全定制：起因于设计工程师对设计的所有方面有完全定制的自由。 模拟版图设计流程 CMOS VLSI制造工艺（略） Tanner版图流程举例（反相器） 集成电路设计近年来发展相当迅速，许多设计需要借助计算机辅助设计软件。 作为将来从事集成电路设计的工作人员，至少需要对版图有所了解，但是许多软件（如cadence）实在工作站上执行的，不利于初学者。 L-Edit软件是基于PC上的设计工具，简单易学，操作方便，通过学习，掌握版图的设计流程。 PMOS版图举例 参考文献 Dan Clein，“CMOS IC Layout concepts， Methodlogices,and Tools”，电子工业出版社； 张开华教授，集成电路版图设计专题； www.EDA； ； 等。 Thank you! 5、进行执行设定、显示设定 6、存储文件，执行对比：设定完成后，开始进行inv.spc文件和inv.sp文件的 对比，选择verification—run命令，可以进行对比。 7、修改电路：如果有误，修改版图，然后再进行对比，直到版图一致为止。 The NAND Gate The NOR Gate The AND Gate (三)本课程所用规则的设计-3 铝条最小宽度10um Metal1 Minimum Width =10um 铝条间距最小10umMetal1 to Metal1 Spacing=10um 铝条对铝引线孔最小覆盖2.5umMetal1 surround Contact=2.5um 引线孔距扩散区最小距离5umMetal1 Contact to P-Select spacing=5umMetal1 Contact to N-Select spacing=5um (三)本课程所用规则的设计-4 铝引线孔距多晶硅最小距离5umMetal1 Contact to Poly spacing =5um 多晶硅对引线孔的最小覆盖2.5umPoly surround Metal Contact = 2.5um 压焊点100*100um*um,压焊点距电路30um L-Edit画版图的详细步骤 1、将屏幕改为256色，打开L-Edit程序，系统自动将工作文件命名为L ayout1.sdb； 2、选择save as命令，将文件另存为新文件名； 3、 取代设定：选择Replace setup命令，进行设计规则取代(如果用其他设计规则，可以输入设计规则)； 4、编辑组件，进行环境设定：选择setup—design命令对单位格点等进行设定； 5、选取图层; 6、选择绘图形状; 7、设计规则检查; 8、检查错误：选择file—open命令打开错误记录文件cell0.drc进行查看错误,利用tools—clear error layer命令可清除错误符号; 9、移动对象：利用alt加鼠标拖曳的方式修改对象的大小; 1、将屏幕改为256色，打开L-Edit程序，系统自动将工作文件命名为Layout1.tdb并显示在窗口的标题栏上。 2、选择save as命令，将文件另存为新文件名； 3、 取代设定：选择Replace setup命令，进行设计规则取代； 4、编辑组件，进行环境设定：选择setup—design命令对单位格点等进行设定； 5、选取图层： 6、选择绘图形状： 7、设计规则检查： 设计规则检查 8、检查错误：选择file—open命令打开错误记录文件cell0.drc进行查看错误,利用tools—clear error layer命令可清除错误符号; 9、移动对象：利用alt加鼠标拖曳的方式修改对象的大小; 简单PMOS的版图 画PMOS版图的详细步骤： 1、将屏幕改为256色，打开L-Edit程序，系统自动将工作文件命名为L ayout1.sdb； 2、选择save as命令，将文件另存为新文件名； 3、 取代设定：选择Replace setup命令，进行设计规则取代； 4、编辑组件，进行环境设定：选择setup—design命令对单位格点等进行设定； 5、选取图层：在