[信息与通信]g第1章_半导体分立器件.ppt

PN结具有单向导电性定义 1.当PN结外加正向电压时，有较大的正向电流,呈现一低电阻特性, PN结导通； 1.2.2 二极管应用电路 二极管电路分析举例 小结： 1.4. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 小结： 小结： 输入特性 2. 输出特性 1.4.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 一 、基本放大电路的组成 一 、基本放大电路的组成 一、 基本放大电路的组成 二、 共射放大电路的静态分析 结论： (二) 用图解法确定静态值 (二)用图解法确定静态值 三、共射放大电路的动态分析 结论： 结论： 动态分析图解法 小结： 1.4.2 分压式(射极)偏置电路 1. 稳定Q点的原理 1.4.2 分压式(射极)偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 静态分析： 直流通道 + VCC RB RC +UCC RS es RB RC C1 C2 T + + + – RL ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE IB IC UCE UBE 交流通路 RB RC RL ui uo ui rbe ?ib ib ii ic uo RB RC RL b c e 动态分析： ro rbe 在放大电路中，输出信号应该成比例地放大输入信号（即线性放大）；如果两者不成比例，则输出信号不能反映输入信号的情况，放大电路产生非线性失真。 为了得到尽量大的输出信号，要把Q设置在交流负载线的中间部分。如果Q设置不合适，信号进入截止区或饱和区，则造成非线性失真。 4. 非线性失真及其改善措施 iC uCE uo 可输出的最大不失真信号 选择静态工作点 ib 若Q设置过高， 晶体管进入饱和区工作，造成饱和失真。 Q2 uo 适当减小基极电流可消除失真。 UCE Q uCE/V t t iC/mA IC iC/mA uCE/V O O O Q1 若Q设置过低， 晶体管进入截止区工作，造成截止失真。 适当增加基极电流可消除失真。 ui uo t iB/?A iB/?A uBE/V t uBE/V UBE O O O Q Q uCE/V t iC/mA uCE/V O O UCE 如果Q设置合适，信号幅值过大也可产生失真，减小信号幅值可消除失真。 Q点上移饱和失真: 注意：对于PNP管，由于是负电源供电，失真的表现形式，与NPN管正好相反。 3.波形的失真 由于放大电路的工作点达到了三极管的饱和区而引起的非线性失真。对于NPN管，输出电压表现为底部失真。 由于放大电路的工作点达到了三极管的截止区而引起的非线性失真。对于NPN管，输出电压表现为顶部失真。 Q点下移截止失真: 为了保证放大电路的稳定工作，必须有合适的、稳定的静态工作点。但是，温度的变化严重影响静态工作点。 5.稳定静态工作点-射极偏置电路 +VCC RS es RB RC C1 C2 T + + + – RL ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE T IC ? UBE IB iC uCE Q Q′ 总的效果是： 温度上升时，输出特性曲线上移，造成Q点上移。 基极电位基本恒定，不随温度变化。 VB RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – Q点稳定的过程 VE VB RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – T UBE IB IC VE IC VB 固定 RE：温度补偿电阻，负反馈 对直流：RE越大,稳定Q点效果越好； 对交流：RE越大,交流损失越大,为避免交流损失加旁路电容CE。 IE VB 集电极电流基本恒定，不随温度变化。 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – 在估算时一般选取： I2= (5 ~10) IB，VB= (5 ~10) UBE， RB1、RB2的阻值一般为几十千欧。 (b) 光电三极管和光电耦合器 光电耦合器的特点:输入端与输出端在电气上是绝缘的. 三极管放大电路有三种形式 共射放大器 共基放大器 共集放大器 以共射放大器为例讲解工作原理 § 1.4.2 共发射极放大电路 3、元件选择要使信号不失真地放大。 放大电路的组成原则： 1、有直流电源，保证E结正偏，C结反偏。 2、元件安排要保证信号传输，即