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LED的封装、检测与应用 大功率LED封装 大功率LED封装 大功率照明级LED 大功率LED支架 大功率LED芯片制造方法 大功率LED封装的散热 影响取光效率的封装要素 大功率照明级LED 功率型LED分为功率LED和W级功率LED两种。功率LED的输入功率小于1W(几十毫瓦功率LED除外)；W级功率LED的输入功率等于或大于1W。 大功率LED单体的功率远大于或等于若干个单个LED小功率LED的总和，供电线路相对简单，散热结构完善，物理特性稳定。 制造大功率LED的关键问题 散热 光衰 大功率LED支架 目前常见的基板种类有： 硬式印刷电路板 高热导系数铝基板 陶瓷基板 软式印刷电路板 金属复合材料等 大功率LED支架 大功率LED支架 大功率LED芯片制造方法 1、加大尺寸法 通过增大单颗LED的有效发光面积，和增大尺寸后促使得流经TCL层的电流均匀分布而特殊设计的电极结构（一般为梳状电极）之改变以求达到预期的光通量。但是，简单的增大发光面积无法解决根本的散热问题和出光问题，并不能达到预期的光通量和实际应用效果。 大功率LED芯片制造方法 大功率LED芯片制造方法 大功率LED芯片制造方法 大功率LED芯片制造方法 大功率LED芯片制造方法 大功率LED芯片制造方法 大功率LED芯片制造方法 大功率LED封装的散热 对于大功率LED，由于结温的上升会使PN结发光复合的几率下降，发光二极管的亮度就会下降。同时，由于热损耗引起的温升增高，发光二极管亮度将不再继续随着电流成比例提高，即显示出热饱和现象。另外，随着结温的上升，发光的峰值波长也将向长波方向漂移，这对于通过由蓝光芯片涂覆YAG荧光粉混合得到的白色LED来说，蓝光波长的漂移，会引起与荧光粉激发波长的失配，从而降低白光LED的整体发光效率，并导致白光色温的改变。 大功率LED封装，要根据LED芯片来选用封装的方式和相应的材料。如果LED芯片已倒装好，就必须采用倒装的办法来封装；如果是多个芯片集成的封装，则要考虑各个芯片正向、反向电压是否比较接近，以及LED芯片的排列、热沉散热的效果、出光的效率。 大功率LED封装的散热 大功率LED封装的散热 大功率LED封装的散热 大功率LED封装的散热 大功率LED封装的散热 大功率LED封装的散热 大功率LED封装的散热 大功率LED封装的散热 大功率LED封装的散热 大功率LED封装的光衰 大功率LED封装的光衰 大功率LED封装的光衰 1、填充胶的选择 根据折射定律，光线从光密介质入射到光疏介质时，会发生全发射。以GaN蓝色芯片来说，GaN材料的折射率是2.3，当光线从晶体内部射向空气时，临界角θ0=sin-1（n2/n1）其中n2等于1，即空气的折射率，n1是GaN的折射率，由此计算得到临界角θ0约为25.8度。在这种情况下，能射出的光只有入射角≤25.8度这个空间立体角内的光，据报导，目前GaN芯片的外量子效率在30％－40％左右，因此，由于芯片晶体的内部吸收，能射出到晶体外面光线的比例很少。 所以，为了提高LED产品封装的取光效率，必须提高n2的值，即提高封装材料的折射率，以提高产品的临界角，从而提高产品的封装发光效率。同时，封装材料对光线的吸收要小。为了提高出射光的比例，封装的外形最好是拱形或半球形，这样，光线从封装材料射向空气时，几乎是垂直射到界面，因而不再产生全反射。 2、反射处理???? 反射处理主要有两方面，一是芯片内部的反射处理，二是封装材料对光的反射，通过内、外两方面的反射处理，来提高从芯片内部射出的光通比例，减少芯片内部吸收，提高功率LED成品的发光效率。从封装来说，功率型LED通常是将功率型芯片装配在带反射腔的金属支架或基板上，支架式的反射腔一般是采取电镀方式提高反射效果，而基板式的反射腔一般是采用抛光方式，有条件的还会进行电镀处理，但以上两种处理方式受模具精度及工艺影响，处理后的反射腔有一定的反射效果，但并不理想。目前国内制作基板式的反射腔，由于抛光精度不足或金属镀层的氧化，反射效果较差，这样导致很多光线在射到反射区后被吸收，无法按预期的目标反射至出光面，从而导致最终封装后的取光效率偏低。 大功率LED分为单芯片大尺寸和多芯片小尺寸组合两种。 功率型LED主要有以下封装形式： 沿袭小功率DIP LED封装思路的大尺寸环氧树脂封装 仿食人鱼式环氧树脂封装 铝基板（MCPCB）式封装 借鉴大功率三极管思路的TO封装 功率型SMD封装 L公司的Lxx封装 MCPCB集成化封装 1、封装结构要有高的取光效率 2、热阻要尽可能低，这样才能保证功率LED的光电性能和可靠性。 因此，管壳