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VLSI设计基础 东南大学电子科学与工程学院 VLSI设计基础 东南大学电子科学与工程学院 总 复 习 2015年 章节要求: 第一、三章：理解并能够阐述相关基本概念 第二、四、五章：全部内容。能够阐述概念，理解工艺，分析问题，设计电路，计算宽长比，阅读版图并分析逻辑。 第六章第1~2节：能够根据要求采用不同的技术设计电路。 第八章第1~4节：能够分析电路构成、特点，推导电路增益并根据参数计算增益大小。 总体要求：认真读书，能够独立完成作业。 作业讲解（第2章） （5）定性解释直流导通电阻随 、 、 的增加而减小， 的增加而增加的原理。 随 作业讲解（第2章） A=8 F=8 G=8 D=8 B=3 E=8 C=8 PMOS =47 作业讲解（第2章） 作业讲解（第2章） 作业讲解（第2章） 4、（9）假设NMOS管的VTN=1V，对于一个NMOS传输门，如果VG=5.5V，Vi=5V，在输出端传输得到的电压Vo将是多少？ 解：4.5伏。 作业讲解（第4章） 1、（2）分析并解释下图的ROM结构，将ROM中的数据填入表中： 作业讲解（第4章） 2、（3）将题1电路改成动态ROM结构并画出电路。 注：每个支路（与非门）接一个NMOS管也可以，这样最下面将有8个晶体管接Φ1。 作业讲解（第4章） 3、（4）分析下图所示电路，提取电路的功能。 作业讲解（第4章） 4、（7）下图为一个开关逻辑的电路，请根据电路写出对应的逻辑函数。 答案： 作业讲解（第4章） 5、（8）读版图并写出电路的逻辑表达式。假设图中PMOS管的宽长比为10，NMOS管宽长比为4，计算最长的上升时间与最长的下降时间的比值。（空穴迁移率与电子迁移率比为1：2.5） 答案： NMOS管最长路径宽长比为4/3，PMOS管最长路径宽长比为10/2，代入迁移率比值，PMOS可比拟NMOS宽长比为2，最长的上升时间与最长的下降时间的比值为1/2：3/4=2：3 作业讲解（第5章） 1、（2）试读下面4个版图，提取对应的电路，并对电路的功能进行分析。 三态门 作业讲解（第5章） 2×2与或门 作业讲解（第5章） 2To1MUX 作业讲解（第5章） 三态门 作业讲解（第5章） 2、读版图，分析电路的功能。 C=0，NMOS截止， PMOS开漏输出； C=1，PMOS截止， NMOS开漏输出。 作业讲解（第6章） 1、（5）以二到一MUX为基本结构，设计一个实现X函数的电路结构并请详细给出设计过程。 作业讲解（第6章） 2、（8）假设倒相器的延迟时间为△，与非门的延迟时间为2△，请画出A和B的波形，并加以说明。如果要求高电平不重叠，在此电路基础上进行改进。 作业讲解（第6章） 3、（9）对于图示寄存器电路，如果希望在Read和时钟信号作用下，在D信号线上读出寄存器的内容，下图的电路应该如何改进。 作业讲解（第8章） 参考8.3.1段，分析当以PMOS管为工作管时，推导基本放大器在6种负载情况下的电压增益表达式。 作业讲解（第8章） 参考8.3.1段，分析当以PMOS管为工作管时，推导基本放大器在6种负载情况下的电压增益表达式。 作业讲解（第8章） 参考8.3.1段，分析当以PMOS管为工作管时，推导基本放大器在6种负载情况下的电压增益表达式。 作业讲解（第8章） 参考8.3.1段，分析当以PMOS管为工作管时，推导基本放大器在6种负载情况下的电压增益表达式。 作业讲解（第8章） 推导以PMOS管为工作管，NMOS基本电流镜为负载的差分放大器的电压增益表达式。 考试: 考试覆盖所有授课内容,闭卷 考试时间: 答疑时间: 6月14日(周六)下午6:00-8:00, ?2014-06-16 14:00(星期一) ?教三-202 2小时 VLSI设计基础 东南大学电子科学与工程学院 VLSI设计基础 东南大学电子科学与工程学院