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下面研究系统的系统函数 H(z) 用离散傅氏变换 H(k) 内插表示: 5.4.1 频率取样法:频域取样和内插 即 5.4.1 频率取样法:频域取样和内插 而 H(k) 又为 H(ejw) 频率响应取样,即 即对要求的 Hd(ejw) 取样,确定 H(k) 的值: 因此,FIR DF 频率取样法的设计过程为: 这样 H(z) 是要求的 Hd(z) 的近似,至少在这些取样频率上,二者具有相同的频响。即 5.4.1 频率取样法:频域取样和内插 但在两个取样点之间,则是近似,由内插函数确定。因此,存在着逼近误差,误差的大小取决于理想频率响应的曲线形状和取样点数 N 的大小。在函数的不连续点附近会产生肩峰和波动。 w 0 Hd(ejw) H(k) |H(ejw)| H (ejw) w 0 |H(ejw)| 为了保证所设计的 FIR DF 是线性相位,必须对 H(k) 提出一些约束条件,而不能任意指定。 例如:对于 Tpye I 线性相位的 FIR DF,h(n) 是偶对称、N 为奇数,其频率响应为: 其中, 对 H(k) 的约束条件 所以 Hr(ω) 是 ω=π 的偶函数,且以 2π 为周期。即: 5.4.2 频率取样法:线性相位约束条件 Hr(w) h(n) 为偶对称,N 为奇数 0 6 n h(n) 令: 又因为: 所以: 5.4.2 频率取样法:线性相位约束条件 因为: 所以: 5.4.2 频率取样法:线性相位约束条件 对于 Type II FIR DF,即 h(n) 偶对称、N 为偶数,其频率响应仍可表示为: 但是,其振幅函数 Hr(w) 是 ω=π奇对称的(见前面的表5.1): 所以,这时的 Hk 也应满足奇对称要求: 而相位要求与第一类完全一样, Hr (w) Hr (w) Type I ( h(n) 偶对称,N为奇数) 线性相位 FIR DF 的约束条件: 5.4.2 频率取样法:线性相位约束条件 Type II ( h(n) 偶对称,N为偶数) 线性相位 FIR DF 的约束条件: Type III ( h(n) 奇对称,N为奇数) 线性相位 FIR DF 的约束条件: Type IV ( h(n) 奇对称,N为偶数) 线性相位 FIR DF 的约束条件: Hr (w) Hr (w) Hr(w) 频率采样法设计步骤: 5.4.2 频率取样法:设计步骤 例5.11 利用频率取样法,设计一个低通 FIR 数字滤波器,其理想频率特性为: 已知 wc = 0.5π,取样点数为奇数 N = 33,要求滤波器具有线性相位。 解: 根据指标,可画出频率取样后的 H(k) 序列如下图。由于对称性,此处只画出了 0≤k≤16 区间。 5.4.2 频率取样法:设计步骤 N=33,则 将这些值带入 H(ejw) 表达式,得: 按此式计算 20log10|H(ejw)|,得到幅频特性,其过渡带宽为2π/33,而最小阻带衰减则约为 –20dB。性能一般。 5.4.2 频率取样法:设计步骤 将这些 H(k) 值带入前面的 H(z) 内插表达式,得: 为了改善性能,可在通带和阻带交界处安排一个或几个不等于 0 也不等于 1的取样值。在本例中,在 k=9 处取 |H(9)|=0.5,则过渡带宽变为 2×2π/33,最小阻带衰减则约为 –40dB。 5.4.2 频率取样法:设计步骤 增加的过渡带取样点 如果要进一步增加阻带衰减,可再添加第 2 个不等于 0 也不等于 1 的取样值,即在过渡带处增加取样点。这样过渡带继续加宽。 如果不允许增加过渡带宽,又希望增加阻带衰减,则可增加取样点数 N,例如 N=65,并在 k=17,k=18 处增加两个优化的取样值 H(17)=0.5886,H(18)=0.1065,则过渡带变为 6π/65,没有增加,但阻带最小衰减可达 –60dB以上。所付出的代价是阶次提高了,增加了运算量。 (各取样点间由内插函数延伸迭加而形成) 所要求的特性越平缓,内插值越接近要求值,逼近也越好。 反之,则内插值与要求值间误差较大,且在不连续点处出现肩峰与起伏。 性能分析: 5) 抽样点 N 取的越大,近似程度越好。 5.4.2 频率取样法:小结 1) 在取样点处,H(ejw) 和 Hd(ejw) 相同 2) 在非取样点处, H(ejw) 和 Hd(ejw) 存在偏差 3) 出现过渡带; 通带和阻带内存在波动; 阻带的衰减特性较差; 4) 线性相位特征可得到保障 6) 在不连续点的边缘,增加一些过渡取样值 (这
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