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LED驱动MOS管 RSM4953 可替代APM4953,GT4953
4953
-30V 双 P 沟道增强型 MOSFET
1. 描述 引脚排列
双P沟道增强型场效应管4953,在低栅极电荷下提供低导通
电阻,可在电源管理中,作为负载开关或PWM应用。
2. 特点
超高密度单元
低导通电阻 (顶视图)
低栅极电容
快开关速度
大功率和电流输出能力
V -30V,I -5A,RB 63mΩ @ V B -10V,
DS DS DS(ON) GS
V -30V,I -5A,RB 95mΩ @ V B -4.5V
DS DS DS(ON) GS
3. 应用领域
电源管理
负载开关
电池保护
便携式设备
4. 框图
5. 订购信息
工作温度范围 (结温) 封装 订购型号 包装数量
-55°C ~ +175°C SOP8 Pb-Free 4953D 4000 片/卷
6. 最大额定参数
(应在推荐工作条件下实现功能)
Feb. 2011
4953
参数 符号 数值 单位
漏源电压 V -30 V
DS
栅源电压 V ±20 V
GS
漏极连续电流 (注2) I -5 A
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