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第七章 半导体存储器 第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构 二、举例 《数字电子技术基础》第五版 输入/出电路 I/O 输入/出 控制 ！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限 4 ? 4 存储矩阵结构示意图 W3 W2 W1 W0 D3 D2 D1 D0 字线 位线 　　字线与位线的交叉点即为存储单元。 　　每个存储单元可以存储 1 位二进制数。 　　交叉处的圆点 “ ”表示存储 “1”；交叉处无圆点表示存储 “0”。 　　当某字线被选中时，相应存储单元数据从位线 D3 ~ D0 输出。 　　请看演示 1　0　 1 　1 1　0　 1 　1 　　从位线输出的每组二进制代码称为一个字。一个字中含有的存储单元数称为字长，即字长 = 位数。 W3 1. 存储矩阵的结构与工作原理 由存储单元按字 (Word)和位(Bit)构成的距阵 2. 存储容量及其表示 用“M”表示“1024 K”，即 1 M = 1024 K = 210 K = 220 。 2. 存储容量及其表示 指存储器中存储单元的数量 例如，一个 32 ? 8 的 ROM，表示它有 32 个字， 字长为 8 位，存储容量是 32 ? 8 = 256。 对于大容量的 ROM常用“K”表示“1024”，即 1 K = 1024 = 210 ； 例如，一个 64 K ? 8 的 ROM，表示它有 64 K 个字， 字长为 8 位，存储容量是 64 K ? 8 = 512 K。 一般用“字数 ? 字长(即位数)”表示 (2) PROM 的存储单元结构 　　PROM 出厂时，全部熔丝都连通，存储单元的内容为全 1(或全 0) 。用户可借助编程工具将某些单元改写为 0  (或 1) ,这只要将需储 0(或 1)单元的熔丝烧断即可。 熔丝烧断后不可恢复，因此 PROM 只能一次编程。 二极管 ROM TTL - ROM MOS - ROM Wi Dj Wi Dj VCC Wi Dj +VDD 1 熔丝 熔丝 熔丝 (二) 地址译码器 　　从 ROM 中读出哪个字由地址码决定。地址地址译码器的每一个输出端对应一条字线。 例如，某 ROM 有 4 位地址码，则可选择 24 = 16 个字。 设输入地址码为 1010，则字线 W10 被选中，该 字内容通过位线输出。 地址译码器：每个输出端输出一个最小项。即Yi=mi 地址译码器的作用是： 根据输入地址码选中相应的字线，使该字内容(存储单元存储的数据）通过位线输出 A1 地址译码器(为与阵列) W3 W2 W1 W0 D0 = m3 + m2 + m0 D1 = m2 + m1 D2 = m3 + m0 D3 = m3 + m2 A0 m3 m2 m1 m0 存储矩阵(为或阵列) PROM 结构的习惯画法 W0-W15对应地址译码器的m0-m15 W0相当于m0=A’B’C’D’ W1相当于m1=A’B’C’D