受控源特性的分析试验目的试验任务基本试验条件四.PDF

5.5.3 受控源特性的分析 一、实验目的 1. 通过对受控源特性的分析，了解简单受控源电路的构成，进一步理解受控源的控制 特性和负载特性。 2. 进一步熟练用 Multisim 软件建立电路的方法。 2. 初步掌握用 Multisim 软件进行模拟电路仿真的方法。 3. 初步掌握用 Multisim 软件进行电路设计的方法。 二、实验任务 （一）基本实验任务 1. 用Multisim 软件建立流控电流源电路，并进行仿真测试。 2. 用Multisim 软件建立压控电压源电路，并进行仿真测试。 （二）扩展实验任务 用运算放大器设计一个压控电流源电路，用 Multisim 软件建立并仿真测试。 三、基本实验条件 1. 计算机 1 台 2. Multisim10 以上版本软件 1 套 3. 打印机 1 台 四、实验原理 1. 流控电流源电路 在电子线路中经常会遇到晶体管、场效应管、运算放大器等器件构成的电路，这些电 子器件本身不是电源，但在电路中所起的作用却类似于“电源”。它们的输出电压(或电流) 不是恒定值，而是受电路中某支路电压或电流的控制，这种现象在电路分析中可以抽象地认 为是一种“电源”——受控源。受控源的种类一般有电压控制电压源 (VCVS) 、电流控制 电压源(CCVS)、电压控制电流源(VCCS)和电流控制电流源(CCCS) 四种。控制量与被控制量 之间的关系是受控源的控制特性，负载电压（或电流）与被控制量之间的关系是受控源的负 载特性。 图 5.5.3.1 所示电路，选择合适的基极电压 V IC BB 和基极电阻 Rb 给晶体管提供基极电流 IB （通常小功 Rb RL T 率晶体管合适的在几十A 的数量级），晶体管正常 IB + + V V 工作时结压降 U 近似为常数（硅管：U =0.7V ， BB CC BE BE - 锗管 U =0.2V ）。V 的数值也要合适，保证晶体 BE CC 管的集电结处于反向偏置，此时，晶体管的输出电 流 IC 受输入电流 IB 的控制，即：IC = βIiB 。是一个电 图5.5.3.1 流控电流源电路 流控制器件，其输出电流 IC 近似与电压无关，大小 受输入电流 IB 的控制，可认为是一个电流控制电流源(CCCS) 。改变基极电阻Rb 的大小，即 改变了基极电流IB ，集电极电流IC 随之改变。 2. 压控电压源电路 利用运算放大器可以构成压控电压源，即输出电压可以作为负载的电压源，但其大小 受输入电压的控制。 E E Rf E E R 1 ∞