[理学]Pspice第10讲.ppt

例 写出电压控制电压源的描述语句， 输出节点为1 、0，输入控制节电为2、0，电压增益为100。 E-VCVS 1 0 2 0 100 主题 结型场效应管（JFET）的器件模型考虑了场效应管的直流特性、小信号特性、温度特性和噪声影响等因素，有许多参数来描述。同双极型晶体管类似， 结型场效应管也有N沟道和P沟道两种类型。结型场效应管的关键字是J。结型场效应管的描述语句格式：Jname ND NG NS JNAME[area value]ND NG NS 分别是漏极、栅极、源极端子号，JNAME为结型场效应管的模型名。结型场效应管模型的类型名位PJF或者NJF。area的值表示结型场效应管的截面尺寸。 § 5.3.3 结型场效应管 0 F 零偏栅-源PN结电容 CGS 0 Ω 源区串联电阻 RS 0 F 零偏栅-漏PN结电容 CGD 0.5 / 正偏耗尽层电容系数 PC 0 Ω 漏区串联电阻 RD 1 V 栅PN结内建电势 PB 10-3 A/V2 跨导系数 BETA 0 1/V 沟道长度调制系数 LAMBDA -2 V 夹断电压 VTO 隐含值 单位 意义 参数名 结型场效应管的模型参数 0 %/C BETA温度系数 BETATCE 0 V/C VTO温度系数 VTOTC 0 / 1/f噪声系数 KF 1 / 1/f噪声指数 AF 10-14 A 栅PN结饱和电流 IS 隐含值 单位 意义 参数名 续 参数VTO,BETA,LAMBDA,IS决定了结型场效应管的直流特性，而其交流特性受所有参数影响。 § 5.3.4 金属氧化物半导体场效应管 返回 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的模型分为三级或四级，各级模型的描述参数也有区别。在设计时要注意是哪一级的模型，并选用相应的参数。根据导电性质，金属氧化物半导体场效应管可分为NMOS和ＰＭＯＳ两种。金属氧化物半导体场效应管的关键字是Ｍ。 描述语句的格式： Ｍ＜ｎａｍｅ＞　ＮＤ　ＮＧ　ＮＳ　＜ＮＢ＞　ＭＮＡＭＥ［Ｌ＝＜ｖａｌｕｅ＞］［ｗ＝＜ｖａｌｕｅ＞］ ＋［ＡＤ＝＜ｖａｌｕｅ＞］［ＡＳ＝＜ｖａｌｕｅ＞］［ＰＤ＝＜ｖａｌｕｅ＞］［ＮＲＤ＝＜ｖａｌｕｅ＞］ ＋［ＮＲＳ＝＜ｖａｌｕｅ＞］［ＮＲＧ＝＜ｖａｌｕｅ＞］［ＮＲＢ＝＜ｖａｌｕｅ＞］ ＮＤ、ＮＧ、ＮＳ、ＮＢ分别是漏极、栅极、源极和衬底；MNAME是MOS场效应管的模型名，类型名为NMOS或者PMOS。 L为沟底长度，W为沟道宽度。 AD、AS为漏极、源极、栅极和衬底的有效系数。 主题 2E-5 A/V2 跨导系数 KP 0 m (源-漏区)横向扩散宽度 WD 0 V 零偏阈值电压 VTO 体效应系数 GAMMA 0 m (源-漏区)横向扩散长度 LD 0.6 V 表面电势 PHI m 沟道长度 L m 沟道宽度 W 1 模型级别（1、2、3、4） LEVEL 隐含值 单位 模型参数 参数名 MOS管的模型参数 漏-源区薄层电阻 RSH 衬底串联电阻 RB 漏-源极旁路电阻 RDS 衬底PN结饱和电流 IS 栅极串联电阻 RG A/m 衬底PN结饱和电流密度 JS 0 漏极串联电阻 RD 源极串联电阻 RS 0 1/V 沟道长度调制系数 LAMBDA 隐含值 单位 模型参数 参数名 续 0.33 衬底PN结侧壁电容梯度因子 MJSW F/m2 衬底PN结侧壁零偏压下单位长度电容 CJSW 0.5 衬底PN结底面电容梯度因子 MJ 0.5 衬底PN结正偏电容系数 FC F/m2 衬底PN结底面零偏压下单位面积电容 CJ 0 F/m 单位宽度的栅-源覆盖电容 CGSO F 零偏压衬底-漏极PN结电容 CBD F 零偏压衬底-源极PN结电容 CBS 0.8 V 衬底PN结底面自建电势 PB 隐含值 单位 模型参数 参数名 续 +1 栅极材料类型（+1 -1 0） TPG 1/cm2 快表面态密度 NFS 0 m 氧化层厚度 TOX 0 m 结深 XJ 1/cm2 表面态密度 NSS 600 cm2/Vs 表面迁移率 UO 0 F/m 单位宽度的栅-衬底覆盖电容 CGBO 1/cm2 衬底掺杂浓度 NSUB 0 F/m 单位宽度的栅-漏覆盖电容 CGDO 隐含值 单位 模型参数 参数名 续 0 阈值电压的宽度效应系数 DELTA 1.0 沟道电荷系数（ LEVEL=2 ） NEFF 0 沟道电荷对漏极的贡献部分 XQC 0 1/V 迁移率调制系数（ LEVEL=3 ） THETA 0 m/s 最大漂移速度 VAMX 0 0 静电反馈系数（ LEVEL=3） ETA 0 / 迁移率下降指数（LEVEL=2） UEXP 迁移率下降横向电场系数 UTRA 0 F/m 迁移率下降临限电场（LEVEL=2） UCRIT 隐含