基于低温键合技术制备牦犗犐材料.PDF

第 卷 增刊 半 导 体 学 报 ２７ 犞狅犾．２７ 犛狌 犾犲犿犲狀狋 　 　 　 　 　 　 狆狆 年 月 ， ２００６ １２ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犇犲犮．２００６ 基于低温键合技术制备犛犗犐材料 ， ， ， １２ １２ １ １ １ 詹 达 马小波 刘卫丽 宋志棠 封松林 　 　 　 　 　 （ 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心，上海 ） １ ２０００５０ 　 （ 中国科学院研究生院，北京 ） ２ １０００４９ 　 ＋ 摘要：通过 等离子体对 片以及 片表面活化，进行直接键合，研究了键合强度与退火温度的关系 研究结 犖 犛犻 犛犻犗２ ． 果表明退火温度从 升高到 的过程中，键合强度明显加强；高于 ，键合强度略有增加，但不明显 结 １００℃ ３００℃ ３００℃ ． ＋ 合 等离子体处理技术和 技术制备出 结构，顶层硅缺陷密度表征表明在 退火后可得到较好 犖 犛犿犪狉狋犆狌狋 犛犗犐 ５００℃ 的缺陷密度 该研究结果提供了一种 低温技术 ． 犛犗犐 ． 关键词： ；等离子体活化；键合强度 犛犗犐 ： ； 犈犈犃犆犆 ２５６０犅 ２５６０犘 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３８６ 犃 ０２５３００１８９０４ 　　　 　　　 行了研究． １ 引言 　 ２ 实验 　 （ ）在很多领域有着应 犛犻犾犻犮狅狀狅狀犻狀狊狌犾犪狋狅狉犛犗犐 ［］ ［］