[工学]第1章 电路和电路元件.ppt

电压：电场力将单位正电荷从a点移动到b电所作的功，就是a,b两点间的电压。 电压的参考方向 1.1.４ 电路的功率 如果某个元件或某一段电路，它的电流为i，电压为u，并且电压、电流的参考方向关联，则功率为p，它的计算公式： p = ui 单位为瓦特，简称瓦。符号：W。 如计算的结果为正，表示该元件或该段电路吸收功率；否则为输出功率（输出电能）。 工程上常用度作为电能的单位。１度=１kw*1h=3.6Mj 在电路中，存在着电能的消耗、磁场能量的储存、电场能量的储存及这三种能量的转换过程。 而表征着三种物理性质的电路参数就是：电阻、电感、电容。 我们这里只讨论理想元件，也就元件模型，它是只含有一个电路参数的元件，分别是电阻、电感、电容。 这些理想元件是对实际电路元件的一种抽象，实际电路元件可以用他们的组合来表示。 1.2.4 实际元件 电阻器：有多种类型，对于一般应用，可以认为线性、是理想电阻。它的主要参数：电阻值、精度（阻值偏差）、额定功率等。电阻值有一个标准系列，应该在这个系列中选用。 电感器：是用导线绕制而成的线圈，有些含有铁心，叫做铁心线圈，线圈中加入铁心可以增加电感的值，但会导致非线性；有些含有磁芯，它用于高频还有些是空心的，叫做空心电感（线圈）。电感器不是理想电感，它除电感值外，还有一定的电阻值，相当于是电感与电阻的串联。主要参数为：电感值、额定电流。超过额定电流，就不是线性特性了。 电容器：通常是由绝缘介质隔开的两个金属导体极板构成。种类也很多。主要参数：电容量、额定电压。超过额定电压，可能会被损环。 　　　　选用时，依据不同情况选用不同的电容器。例如，一般的滤波电容选用电解电容，虑除高频噪声，可选用瓷片电容，独石电容、胆电容等；在测量中需要高稳定性是可选用聚丙烯电容。电力系统，则使用电力电容器等。 元件的并联与串联 (P9 表1.2.1） 1.3 独立电源元件 电源所提供的电压或电流完全由电源本身来决定。 　 在实际电路中，电能或电信号的发生器称为电源（激励、输入），用电设备称为负载。由激励而在电路中产生的电压和电流称为响应（输出）。 1.3.3 实际电源 电流源模型IS为实际电源的短路电流值 1.4.2 伏安特性 1.4.3 主要参数 二极管电路分析举例 14.3 稳压二极管 3. 主要参数 1.5 半导体三极管 1.5.1 基本结构 三极管放大的外部条件 1.5.2 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 1.5.3 主要参数 1. 电流放大系数， ? 各电极电流关系及电流放大作用 1. 受控源元件 三极管工作在放大状态时，可以用一个受控源电路来描述。 图 半导体二极管的结构和符号 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 c 平面型 金属触丝 阳极引线 N 型锗片 阴极引线 外壳 a 点接触型 铝合金小球 N 型硅 阳极引线 PN 结 金锑合金 底座 阴极引线 b 面接触型 符号 阴极 阳极 D 1.4 半导体二极管 1.4.1 基本结构和符号 特点：非线性 硅管0.5V,锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 二极管的单向导电性 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅