[工学]3 半导体三极管.ppt

H参数的确定 适用条件： 3.4.2 用H参数小信号模型分析共射极基本放大电路 Zdh4.9 输入、输出电阻的意义及测量方法 电压放大倍数与源电压放大倍数 例：在图所示电路中， 已知VCC＝12V，晶体管的?＝100， ＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后填得数。 （1）当 ＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要基极电流IBQ＝20μA， 则 和RW之和Rb＝ ≈ kΩ；而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝ ≈ kΩ。 （2）若测得输入电压有效值 =5mV时，输出电压有效值 ＝0.6V， 则电压放大倍数 ＝ ≈ 。 若负载电阻RL值与RC相等 ，则带上负载后输出电压有效值 ＝ ＝ V。 作业：3.4.2 3.4.4 A B 求图示电路AB端口的输出电阻 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.5.1 温度对工作点的影响 3.5.2 射极偏置电路 解决办法： 1、针对ICBO的影响； 2、针对UBE的影响 1 2 I1 IB 一般取 I1=（5~10）IB； VB=（3~5）V 1 2 I1 IB 3.30gdz rbe Re Ib Ic Ii Rb Ib β Uo Ui Rs C E B + VCC Rb RS Re RL C1 + uCE eS uo ui 射极输出器 + C2 3.6 共集电极电路和共基极电路 电压放大倍数 emitter follower rbe Re 交流通路 Ib Ie Ic Ii Rb Ic β Uo Ui Rs C E B 输入电阻 input resistance * 一、熟悉晶体管特性曲线，掌握三种工作状态的特点。 主要内容及要求： 二、掌握常用的几种电路的结构、特点、放大条件。 三、熟练掌握各种电路的静态和动态分析。 四、了解放大电路的频率响应问题。 五、熟记共射、共集放大电路的输出电阻、输入电阻和电压放大倍数的表达式。尤其注意输出电阻的书写。 3 半导体三极管及其放大电路基础 3 半导体三极管及其放大电路基础 （Bipolar Junction Transistor，BJT） 双极型 晶体管 3.1 半导体BJT 晶体管的几种常见外形 一、晶体管的结构和符号 N N P 集电结 发射结 集电区 发射区 基区 C B E N P P 集电区 发射区 基区 集电结 发射结 C B E B E C B E C 二、晶体管电流分配关系 三、晶体管放大作用条件：发射结必须正向偏置、集电结必须反向偏置——外部条件。 对于NPN型晶体管 且 对于PNP型晶体管 且 放大条件 四、开启电压与工作电压 五、三种工作状态及特点 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏或零偏 发射结 饱和 放大 截止 3.1.2 BJT的电流分配与放大作用 结论： 1、BJT内部有两种载流子参与导电； 2、基极电流对射极和集电极电流的控制作用； 电流控制型器件 3、电流分配关系 三极管具有放大作用的内部条件和外部条件 1、内部条件： 2、外部条件： 发射结正偏； 集电结反偏。 外部条件 对于NPN型晶体管有 对于PNP型晶体管有 ? 例：已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 ? 例：测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子的三个极，并分别说明它们是硅管还是锗管,是什么结构。 ? 共射连接方式及放大作用 Zdh3.12 3.1.3 BJT的特性曲线 1、共射极电路的特性曲线 （1）输入特性 三极管正常工作时： UBE=0.7V左右(Si) （2）输出特性 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏或零偏 发射结 饱和 放大 截止 各种状态的偏置情况： 3.1.4 BJT的主要参数 1、电流放大系数： 2、极间反向电流； 3、极限参数： （1）集电极最大允许电流ICM； （2）集电极最大允许功耗 PCM ； （3）反向击穿电压 3.2 共射极放大电路 放大电路的基本知识 模拟信号放大 放大电路模型 放大电路的主要技术指标 判断电路具有放大作用的方法： 1、看静态（直流）条件； 2、交