[工学]基片、成核与薄膜生长.pdf

生长篇 生长篇 基片、成核与薄膜生长 基片、成核与薄膜生长 Substrate, Nucleation and Film growth Substrate, Nucleation and Film growth - Qing Yu Zhang Qing-Yu Zhang State Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams State Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams Dalian University of Technology, Dalian 116024, China Dalian University of Technology, Dalian 116024, China Web site://202.118.70.130; Email to: qyzhang@dlut.edu.cn 基片的选择与处理 基片的选择与处理 单晶基片 单晶基片 ⎯Si基片 • 基片的取向: (001)、(111) • 基片的电阻：低阻、高阻 • 基片的表面氧化 基准线 基准线 基片的选择与处理 基片的选择与处理 单晶基片 单晶基片 ⎯Si基片的表面处理方法 • 清洗处理的方法： – 将Si片分别放入丙酮、乙醇、去离子水中，用超声波清洗5 min ； – 在体积比为3:1 的H SO +H PO 的溶液中浸泡20小时，去除 2 4 3 4 Si基片表面的油污及其它污染物； – 用去离子水冲洗； • 表面的本征氧化层剥离方法： – 在5% 的HF酸溶液中腐蚀2 min ，以便剥离掉Si基片表面的本 征氧化层； – 经去离子水冲洗，用干燥N 气吹干后，快速放入真空室。 2 基片的选择与处理 基片的选择与处理 单晶基片 单晶基片 ⎯蓝宝石基片 • 基片的取向: (001)、(110)/(1120) • 基片的表面：错切与台阶 • 基片的表面处理 未经处理 真空退火 氮气环境退火 氧气环境退火 基片的选择与处理 基片的选择与处理 单晶基片 单晶基片 ⎯其它单晶基片 • 基片取向 • 匹配度 • 表面稳定性 • 清洗方法 • 表面处理 • … 基片的选择与处理 基片的选择与处理 多晶基片 多晶基片 ⎯不锈钢基片 • 基片取向：基片表面存在多种晶粒取向，一般无织构； • 基片表面：存在抛光划痕； • 表面稳定性：可能有表面氧化层； • 清洗方法：在丙酮、乙醇、去离子水中，用超声波清洗