DDR、USB3.0的、RJ45.pptx

Agenda;DDR;DDR;DDR;內部拓撲結構 ;預取（pre-fetch）及速率;預取（pre-fetch）及速率;五大信號類型 ;讀操作 DDR的內部以存儲陣列的方式存儲數據，分為若干頁，每一頁稱為“邏輯bank”（ Logical Bank，简称Bank ），基本上設計為4個或8個Bank。 Bank是一個N × N的陣列表，B代表Bank地址編號，C代表列地址編號，R代表行地址編號。尋址時會首先同時指定Bank和（ Row ）地址，然后又同時指定列（Column）地址，前者稱之為“行啟動”（Row Active）命令發送，後者稱為“讀/寫命令”（R/W），最终鎖定目標单元。如果定址命令選中的是B1、R2、C6，就能選定如下示意圖中填紅色的存儲單元。 ;讀操作 tRCD：即RAS to CAS Delay（RAS至CAS的延遲時間，RAS就是行地址選通脈衝，CAS就是列位址選通脈衝），我們可以理解為行選通週期。它以時鐘週期（tCK，Clock Time）為單位，比如tRCD=3，就代表延遲週期為三個時鐘週期。;讀操作 CL:即CAS Latency，列地址脈衝選通潛伏期，它是讀指令發出后到數據輸出到DQ線上的時延。CL的數值單位與 tRCD一樣，也是以時鐘週期為單位。 tAC:即Access Time from CLK，時鐘觸發後的訪問時間，它包含在CL內，是S-AMP提取Cells Array里的數據，再輸送到DQ線的前期準備時間。;讀操作總體流程 Active命令送出，同時選擇Bank和Row位址（ BA0-BA2選擇BANK、 A0-A15選擇Row），打開一個工作行； Read命令送出，同時選擇Column位址和bank號，打開對應gating的列； 資料經過特定的延時（ CL），將資料傳出IO； 資料傳出後，需將當前cache的資料刷回存儲整列並關閉當前工作行（攜帶命令和BA資訊）。通過A10決定是否發佈自動預充電命令。;寫操作總體流程 ddr發起一次寫操作與讀類似，除寫資料，其他步驟參照讀。 和讀操作一樣； write命令送出，同時選定Column位址和bank號，打開對應gating的列； 經過特定的延時（ tDQSS）；資料從IO寫入io gating；這之間又有一個延時tWR； 資料寫入後，預充電的操作和讀一樣。;特殊操作解析 預充電操作（Precharge）：是一種對當前工作行的中所有存儲體進行數據重寫，並對行位址進行復位，同時釋放S-AMP（感應放大器）的操作。在一次讀/寫完成後，如果後續要讀/寫的行與當前行不相同，就要進行預充電操作。如果下一個要操作的行與當前行相同，則不用預充電。從開始關閉當前工作行到激活新的工作行之間的時間稱為tRP（Row Precharge command Period，行預充電有效週期），單位也是時鐘週期tCK。 突發傳送（Burst）：是指連續讀或寫同一行中相鄰的存儲單元的方式，連續傳送的週期數就是突發長度（Burst Lengths，簡稱BL）。只要指定起始列位址與，就會依次地讀/寫相應突發長度的數據，而不再需要控制器逐列地尋址。提高了傳輸效率。 ;特殊操作解析 数据掩码技术:即（Data I/O Mask，简称DQM），是爲了屏蔽突發傳送中某筆不需要的數據而設計的。通過DQM，可以控制DQ線上數據的有效性。應注意的是，被屏蔽的數據仍然會在DQ線上傳送，只是被“掩碼邏輯單元” 屏蔽了。 数据选取脉冲（DQS）：DQS信號線的功能主要用來在數據傳輸時準確的區分出每個數據的傳輸週期，保證接收方能準確地接收數據。它具有雙向性。在寫入時，DDR接收外來DQS信號；在讀取時由DDR發出DQS信號。可以說，它就是DQ數據的同步信號。;特殊操作解析 refresh ：週期性地，依次對所有行進行操作，以保留那些久久沒經歷重寫的存儲體中的數據，所針對的行是所有Bank中的相同位址行。它與預充電操作類似，都是用S-AMP先讀再寫，但Precharge針對的是一個或所有Bank中的當前和下一個工作行 ，是不定期的操作（因實際的讀寫需要而定）。 Reset：是DDR3新增的一項重要功能，將使DDR3的初始化變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所有數據接收與發送器都將關閉，所有內部的程式裝置將重定，DLL（Delay Locked Loop延遲鎖定回路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬DQ總線上的任何動靜，使DDR3達到最節省電力的狀態。 ;DDR;重要功能 OCD（Off-Chip Driver）：被稱為離線驅動調整（如右圖），OCD技術從DDR2開始引入，通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-