- 1、本文档共44页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
[信息与通信]半导体器件物理第六章_93140777
J.Hsu 微电子学研究所
微电子与纳电子学系
半导体器件
物理进展
第六章 其它特殊半导体器件简介
Introduction to other Special
Semiconductor Devices
J.Hsu 微电子学研究所
微电子与纳电子学系
本章内容提要:
LDMOS、VDMOS等高压功率器件
IGBT功率器件简介
SOI器件与集成电路
电荷耦合器件的原理与应用
J.Hsu 微电子学研究所
微电子与纳电子学系
1. LDMOS、VDMOS功率器件
(1)MOSFET作为功率器件的优势:
MOSFET为多子(多数载流子)器件,电流温度系数
为负值(由迁移率随温度的变化引起),不会发生
双极型功率器件的二次击穿现象(由Iceo,β随温
度的升高而引起);
没有少子(少数载流子)的存贮效应,开关响应速
度较快;
栅极输入阻抗较高,所需的控制功率较小;
具有一定的功率输出能力,可与控制电路集成在一
起,形成Smart Power IC,例如LCD显示器的高压
驱动电路(Driver)。
J.Hsu 微电子学研究所
微电子与纳电子学系
(2 )MOSFET的击穿特性:
(A )导通前的击穿:
源漏穿通:
早期的解释:随着源漏电压增大,→ 源漏耗尽区不
断展宽,直至相碰到一起,→ 导致发生源漏穿通效
应(这里仍然采用的是平面PN结耗尽区的概念,尽管
可能不是十分准确);
目前的理解:由于DIBL效应引起的源漏穿通,与器件
的沟道长度及沟道掺杂分布有关,其特点是(与PN结
的击穿特性相比)击穿特性的发生不是非常急剧,换
句话说,器件的击穿特性不是十分陡直的硬击穿,而
是比较平缓的软击穿特性。
J.Hsu 微电子学研究所
微电子与纳电子学系
漏端PN结击穿:
比单纯的非MOSFET漏区的PN结击穿电压要低(原因:
受场区离子注入、沟道区调开启离子注入等因素的影
响),由于侧向双极型晶体管的放大作用,使得BVPN
有所下降(类似BVCEO小于BVCBO ),不同点在于MOS器
件的衬底(相当于BJT器件的基区)不是悬空的,而
是接地(只是接地电阻可能偏大),这种击穿特性的
特点是雪崩电流的发生比较急剧,发生雪崩效应之前
的反向电流也很小。
(B )导通后的击穿:主要是由于侧向双极型晶体管
效应所导致,特别是由于器件衬底电流的影响,将使
源衬PN结出现正偏现象,致使侧向双极型晶体管效
应更为严重。
J.Hsu 微电子学研究所
微电子与纳电子学系
MOSFET导通后的击穿现象:
(C )提高MOSFET击穿电压的有效方法:在器件
的漏区周围增加低掺杂的过渡区,以减小漏端峰值
电场强度,从而提高器件的击穿电压。
J.Hsu 微电子学研究所
微电子与纳电子学系
(3)高压MOS器件结构的电场分析:
N-区的作用:当高压MOS器件截止时,N-区
为耗尽层的过渡区;当器件导通时
您可能关注的文档
最近下载
- 废旧塑料购销合同6篇.docx VIP
- 山东省烟台市芝罘区2022-2023学年七年级(五四学制)上学期期中地理试题(含答案).docx VIP
- 建筑工程施工技术交底大全.docx
- 柔性光伏钢构及组件安装施工方案.docx VIP
- 中成药学讲稿祛暑中成药.docx VIP
- 石油化工企业设计防火规范(GB50160-2018-).doc
- 山东省烟台市芝罘区(五四制)2023-2024学年六年级上学期期中考试生物试题(解析版).docx VIP
- 医疗机构医院感染管理专职人员管理办法(2020年版).pdf
- 南宁师范大学信息技术课程与教学考研真题试题2019年.pdf
- 加强风电设备管理提升风机可利用率(电力系统及自动化范文).doc
文档评论(0)