[工学]计算机接口技术 第5章.ppt

第5章 内存储器及其接口 5.1半导体存储器 5.2 半导体存储器接口的基本技术 5.3 16位和32位系统中的内存储器接口 * 5.1 半导体存储器 5.2 半导体存储器接口的基本技术 5.3 16位和32位系统中的内存储器接口 概述 RAM芯片的结构、工作原理及典型产品 ROM芯片的结构、工作原理及典型产品 5.1半导体存储器 5.1.1 概述 一、基本结构 二、存储器中的数据组织 在字节编址的计算机系统中， 一个内存地址对应一个字节单元， 16位字和32位双字各占有2和4个字节单元。 例32位双占内存4个字节地址24300H～24303H， 在内存中的存放如下： （a）为小数端存放 （b）为大数端存放 都以最低地址24300H为双字地址。 存储器中的数据组织 三、主要技术指标 1.存储容量 指存储器可以容纳的二进制信息量 以存储器中存储地址寄存器MAR的编址数与存储字位数的乘积表示； 2.存储速度 可以用两个时间参数表示： 一个是“存取时间”（Access Time）TA 定义为从启动一次存储器操作，到完成该操作所经历的时间； 另一个是“存储周期”（Memory Cycle）TMC， 定义为启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔； 3.可靠性 用MTBF（Mean Time Between Failures，平均故障间隔时间）来衡量， MTBF越长，可靠性越高。 4.性能/价格比 四、分类 SRAM RAM DRAM 内存储器 ROM PROM ROM EPROM E2PROM 存储器 FLASH MEMORY FLOPPY DISK DISK HARD DISK 外存储器 CD OPTICAL DISK DVD MO 5.1.2 RAM芯片的结构、工作原理及典型产品 一、内部结构 1.SRAM的存储单元 2.单管DRAM的存储单元 二、SRAM典型芯片 1. SRAM芯片HM6116 11条地址线、8条数据线、1条电源线VCC和1条接地线GND； 3条控制线 — 片选信号 、写允许信号 和输出允许信号 ； 3个控制信号的组合控制6116芯片的工作方式。 表 5—1 6116的工作方式 DIN 写入 L X L DOUT 读出 H L L 高阻 未选中（待用） X X H I/O引脚 方 式 2. DRAM芯片Intel 2164 2164A的片内有64K（65536）个内存单元， 有64K个存储地址，每个存储单元存储一位数据， 片内要寻址64K个单元，需要16条地址线， 为了减少封装引脚，地址线分为两部分 — 行地址和列地址，A0～A7为芯片行地址，A8～A15为列地址， 芯片的地址引脚只有8条。 由行地址选通信号 ，将先送入的8位行地址送到片内行地址锁存器， 然后由列地址选通信号 将后送入的8位列地址送到片内列地址锁存器。 16位地址信号选中64K个存储单元中的一个单元。 刷新时，送入7位行地址，同时选中4个存储矩阵的同一行，即对4×128 = 512个存储单元进行刷新。 数据线是输入和输出分开的，由 信号控制读写。 无专门的片选信号。 5.1.3 ROM芯片的结构、工作原理及典型产品 一、ROM芯片的组成和基本存储单元 二、EPROM芯片Intel 2732A 2732A的方式选择 编码 +5V H L L Intel标识符 高阻 +5V X Vpp H 编程禁止 输入 +5V X Vpp L 编程 高阻 +5V