[材料科学]清华大学 集成电路制造工艺 王水弟 课件第12章纳米时代的挑战-2.pdf

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[材料科学]清华大学 集成电路制造工艺 王水弟 课件第12章纳米时代的挑战-2

第12章 纳米时代的挑战 本章内容 12.1 摩尔定律的极限 12.2 纳米时代的设备 12.3 纳米时代的材料 12.4 纳米时代的工艺 12.5 结束语 e 12.1 摩尔定律的极限 IC发展的两个驱动力 硅圆片的尺寸从 100mm → 125mm → 150mm → 200mm → 硅片尺寸 不断扩大 300mm → 450mm , 以提高芯片产量和降 低芯片成本,最终获 取更大的利润。 I C 的特征尺寸从 1.00 μm → 0 .70 μm → 0 .50 μm → 0 .35 μm → 0 .25 μm → 0 . 18 μm→ 特征尺寸 0.13μm → 90nm → 65nm 不断缩小 → 45nm →32nm → 22 nm → 16 nm → 11 nm , 以满足芯片微型化、高密 度化、高速化、高可靠化 极限 和系统集成化的要求。 摩尔定律: I C 的集成 度,每两年 翻一番 ! 摩尔定律说: “IC 的集成度每两年 翻一番”,是由于特征尺寸的缩小,使单 位面积内的晶体管数量增加,即集成度提 高。特征尺寸缩小依靠的是工艺设备更新 换代和工艺技术的改进。但是,晶体管的 尺寸等比例缩小将受到基本物理规则限制。 摩尔定律还能维持多久? 2006年2月27 日IBM公司副总裁兼技术总 监Bernie Meyerson博士在美国加州Monterey 举行的2006年电子峰会开幕式上发表的主题讲 话中说:“在130nm节点上,一个1.2nm的氧 氮化物栅极的厚度只有5个原子,没有人能够 缩小一个晶体管各部分的尺寸,原子是不会变 大也不会缩小的。所以,尺寸缩小定律不再起 作用,你可以继续按照摩尔定律行事,不过, 功耗和热量将迅速上升。将来提高性能是靠发 明创造,而不是缩小尺寸。” 摘自:2006年3月 《半导体科技》P.17 2005年全球EDA技术会议论坛会主题 通向45nm之路,朝向地狱吗? 事实证明,科学技术总是要发展的, 它通过研制新设备、采用新工艺、寻找 新材料,攻破一个又一个的技术难关, 创造一个又一个的科学奇迹,攀登一个 又一个高峰。 2007年9月18 日,英特尔在美国旧金山马士孔尼 会议中心(Moscone Convention Center)举行的信息 技术峰会上展示32纳米芯片,并宣布2009年投产。 (摘自《第一人资讯》2007年9月25 日) 旧金山秋季IDF 2009刚刚开始,Intel总裁兼CEO Paul Otellini就展示了世界上第一块基于22nm工艺的 晶圆,并宣布将于2011年下半年发布相应的处理器产 品,开发代号Ivy Bridge 。

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