闪存解决方案的移动化-Fujitsu.PDF

TECHNICAL ANALYSIS Quad技术因为将绝缘的氮化膜内的不同 MirrorBit技术的制造工艺与浮栅相 电荷在两处保存，所以在成本、可靠性 比除简单以外还有另一个优点，就是能 随着办公场所，家里甚至外出场所 和生产性方面比浮栅技术出色。 对逻辑电路进行有效的合并。大容量闪 等可使用数据和资讯的地方日趋扩大， 存与能装载一百万逻辑门的大容量逻辑 闪存解决方案的移动化、数字化和媒体 电路合并能削减成本,并能使不追加独 化的进程正在全球范围推动。半导体制 立逻辑电路的解决方案成为可能。 造厂商们也为此不断开发与现存产品相 以MirrorBit技术为基础，Spansion 比，成本更低性能更高，容量更大的记 为集成市场的用户提供在单一的技术平 忆媒体。而Spansion就是在这静态存储 台上有附加价值的编码数据存储解决方 器领域创出连续技术革新的领先的闪存 案。在优化编码解决方案上，MirrorBit 解决方案供应商。现在，Spansion在导 产品采用NOR型结构设计，使高速存取 MirrorBit Quad技术具有4Bit/Cell 入具有革新性的MirrorBit技术后，又开 和高可靠性的编码存储成为了可能。做 的结构，与MirrorBit一样在两个不同 始致力于引发闪存界技术革新的领先世 为面向集成市场最优化的数据存储解决 领域里保存电荷的同时，还能保存不同 界的4 bit/cell技术「MirrorBit Quad」 方案MirrorBit ORNAND™制品，其结构是 电荷量和电荷状态，使其能有MirrorBit 的开发工作。 适合大容量数据存储的高速读/写,与 的两倍的保存容量。在两个不同的领域 竞争产品浮栅型的NAND产品相比具有更 里保存各自的电荷，可被不同的特定电 高的数据品质和可靠性。MirrorBit Quad 位分割成4值(4个充电电位)，即各单 技术在集成市场中可以说是肩负大容量 元为4×4,也就是说可保存相当于4bit/ Spansion 是以独自的专利技术 数据存储的下一代的技术。 cell的16种不同的电荷组合。 MirrorBit技术为基础，在静态存储器解 MirrorBit单元与浮栅单元有很大 MirrorBit 和 MirrorBit Quad 的 比 决方案上率先利用氮化膜的公司。利用 不同,它通过在存储单元的两侧，物理 较如图 2 所示。 氮化膜的产品在业界首次成功地实现了 结构不同的两个位置上保存电荷,使实 在所有的MLC型闪存结构中，都 批量生产，2006年第二季度以MirrorBit 际存储容量成为两倍。标准的浮栅单元, 需要解决不同的电荷状态问题，对存储 技术为基础的产品的销售额达到了14亿 为了保存电荷使用导电性多硅的浮栅, 媒体中的少量电子必须进行正确的注入 美元。在无线设备、车载设备、网络设备、 而MirrorBit单元采用着非导电性的氮 和检出，这使得其结构更趋于复杂。而 通讯设备、家电产品等Spansion的目标 化膜作为记忆媒体,防止了电荷流在存 MirrorBit