战略性先进电子材料重点专项2017年项目申报指引.PDF

附件4 “战略性先进电子材料”重点专项 2017 年度项目申报指南 为落实《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020 年）》和《中国制造 2025》等提出的任务，国家重点研发计 划启动实施“战略性先进电子材料”重点专项。根据本重点专 项实施方案的部署，现发布2017 年度项目申报指南。 本重点专项总体目标是：面向国家在节能环保、智能制 造、新一代信息技术领域对战略性先进电子材料的迫切需 求，支撑“ 中国制造2025” 、“互联网+”等国家重大战略目标， 瞄准全球技术和产业制高点，抓住我国“换道超车” 的历史性 发展机遇，以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为 核心，以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料 为重点，通过体制机制创新、跨界技术整合，构建基础研究 及前沿技术、重大共性关键技术、典型应用示范的全创新链， 并进行一体化组织实施。培养一批创新创业团队，培育一批 具有国际竞争力的龙头企业，形成各具特色的产业基地。 本重点专项按照第三代半导体材料与半导体照明、新型 显示、大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料4 - 1 - 个技术方向，共部署35个研究任务。专项实施周期为5年 （2016 - 2020年）。 2016年，本重点专项在4个技术方向已启动15个研究任 务的27个项目。2017年，拟在4个技术方向启动15个研究任 务的37-74个项目，拟安排国拨经费总概算为8.38亿元。凡企 业牵头的项目须自筹配套经费，配套经费总额与国拨经费总 额比例不低于1：1。 项目申报统一按指南二级标题(如1.1)的研究方向进行。 除特殊说明外，拟支持项目数均为1-2项。项目实施周期不超 过4年。申报项目的研究内容须涵盖该二级标题下指南所列 的全部考核指标。项目下设课题数原则上不超过5个，每个 课题参研单位原则上不超过5个。项目设1名项目负责人，项 目中每个课题设1名课题负责人。 指南中“拟支持项目数为 1-2 项”是指：在同一研究方向 下，当出现申报项目评审结果前两位评价相近、技术路线明 显不同的情况时，可同时支持这2 个项目。2 个项目将采取 分两个阶段支持的方式。第一阶段完成后将对2 个项目执行 情况进行评估，根据评估结果确定后续支持方式。 1.面向新一代通用电源的GaN 基电力电子关键技术 1.1 用于小型化电源模块的高速GaN 基电力电子技术 研究内容：研究大尺寸 Si 衬底上高均匀性GaN 外延生 长技术；研究Si 衬底上GaN 基高速开关器件设计与产业化 - 2 - 制备技术；研究GaN 高速器件动态导通电阻的衰退机制及其 控制方法；研究适用于GaN 基高速开关器件的驱动与系统集 成技术；开发低寄生参数封装工艺；研究小型化电源模块， 应用于通讯设备及新一代数据中心服务器等领域。 考核指标：6 ～8 英寸Si 衬底上GaN 基异质结构材料方 块电阻350 Ω/sq ，方阻不均匀性3%；100 V 场效应晶体管 导通电阻7 mΩ，动态电阻上升50% ，建立动态导通电阻衰 退模型；实现开关频率1 MHz 的无引脚封装；应用于开关 频率1 MHz 的300 W 电源模块，转换效率≥96%；形成6 ～8 英寸GaN 基电力电子器件生产线；申请发明专利 15 项，发 表论文 10 篇。 1.2 用于中等功率通用电源的高效率GaN 基电力电子技术 研究内容：研究 Si 衬底上高耐压GaN 材料外延生长技 术；研究低动态导通电阻、高稳定性大电流功率开关管和二 极管平面器件的设计与产业化制备技术；建立异质结构材料 与器件的可靠性评价体系，研究器件的失效机理与高耐压、 高可靠性提升技术；研究高效散热的封装技术；研发高效率 电源模块，应用于太阳能逆变器等通用电源。 考核指标：Si 衬底上 GaN 基场效应晶体管击穿电压 1200 V ，导通电阻100 mΩ，反向漏电10 μA （@600 V ）； Si 衬底上GaN 基肖特基二极管击穿电压1200 V ，导通电压 1.8 V （@15 A ），反向漏电10 μA （@600 V