拟合背景校正FBC-Agilent.PDF

拟合背景校正 (FBC) — 快速、准确、全自动 背景校正 技术概述 5110 ICP-OES 前言 在 ICP-OES 中，通常会对观测到的分析物发射谱线总信号进行背景 （基线）校 正。这是因为许多因素都会影响特定波长处的背景信号。有一些因素是固定 的，而另外一些会使得不同样品的背景各不相同。 ICP-OES 的固定背景主要来源于氩气等离子体，也称 “连续本底”。连续本底是 连续分布在光谱仪波长范围内的辐射。在 167-785 nm 的波长范围内 （这也是 ICP-OES 通常覆盖的范围），背景信号在低紫外波长段较小，并会随着波长增长 而逐渐增强。另一种背景是 “暗电流”，它是由来自 ICP-OES 检测器的背景信号 引起的。我们可以测定检测器未暴露于发射源 （氩气等离子体）时的信号，从 而在样品分析前校正暗电流相关的背景。光学系统的类型、设计以及整体质量 也决定了在特定 ICP-OES 系统上观测到的相关背景。 在特定波长处观测到的背景信号的强弱受关键等离子体参数 离峰背景校正 的影响，比如等离子体配置、功率和气体流量、雾化器气 体流量以及等离子体观测位置等等。分析物发射谱线的信 离峰背景校正 (OPBC) 是 ICP-OES 中历史最悠久的背景校 号强度也受这些关键等离子体参数的影响。由于发射谱线 正方法。在最简单的情况下，邻近分析物谱峰的连续背 的强度和邻近背景会直接影响分析物的检测限，等离子体 景信号是平的，只需测定一个信号背景点即可计算出净强 参数的优化也就变得极为重要。根据所选波长的不同，同 度。另外还可轻松解释不同样品在背景水平方面的差异。 一元素的最佳等离子体条件也可能不同。例如，为了达到 通过在方法开发过程中扫描典型样品便可找出合适的背景校 最低检测限，铝 167 nm 离子发射谱线的等离子体条件与 正点。 396 nm 原子发射谱线处的条件不应相同。一旦设定好了等 当分析物发射谱线邻近展宽的干扰物时，会产生线性但倾 离子体条件，来自氩气等离子体的背景相对固定，背景校 斜的背景，为了准确测定背景，需在分析物谱峰两侧各测 正通常也比较简单。 一个点。 样品中存在的高浓度元素也会引起背景，这种背景的校正 对于邻近分析物谱峰的弯曲的或更复杂的背景结构，OPBC 更为复杂。造成的影响包括： 的误差很大，因此并不适用。由于不同样品在基质元素方 • 极强的发射谱线造成的杂散光。例如，钙 393.366 nm 面存在差异，因此很难找到适用于分析过程中观测到的所 和 396.847 发射谱线 有背景变异的背景点。 拟合”背景校正 “ 电子离子重组效应。例如，在 背景中高 • - 193–210 nm 浓度的铝 除了 外， 还提供了独特的拟 OPBC Agilent 5110 ICP-OES • 谱线展宽。例如，在 Al 396.152 nm 处的 Ca 396.847 合背景校正 (FBC) —一种强大却又易于使用的背景校正技 发射谱线，以及在 Pb 220.353 nm 处的 Al 220.467 nm 术，该技术采用先进的数学算法，可对分析物谱峰下的背 发射谱线 景信号建模。 不仅能够准确校正简单及复杂的背景结 FBC 构，而且无需进行方法开发。无论样