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计算薄膜电阻的漂移-Vishay
V I S H A Y I N T E R T E C H N O L O G Y, I N C .
Resistive Products Technical Note
计算薄膜电阻的漂移
1. 薄膜电阻漂移的计算模型
所有电阻都有一个共同的特性：在施加电负载和负载持续时间内，电阻的阻值会随膜温而变化。根据所采用的电阻技术，如用来
制造电阻体和端接的材料，阻值变化的幅度和可预测性的变化会相当大。
用纯金属和专用金属合金制造的电阻有一个非常大的优点，其所适用的物理定律和有关公式使工程师能够精确地预测电阻漂移。
对于用薄膜技术制造的电阻，根据阿伦尼乌斯定律，可推导出如下广为接受的表达式：
ϑ – ϑ
j 0
30K
ΔR t ΔR
= 2 × ×
R 3 t R
(t,ϑ) 0 (t ,ϑ )
j 0 0
ΔR ΔR ΔR
参考电阻漂移
R R R
(t ,ϑ ) (t ,ϑ ) (t ,ϑ )
0 0 0 0 0 0
t 实际的工作时间
t0 工作参考时间
ϑ 参考膜温
0
ϑ 实际膜温
j
根据这个公式，薄膜电阻的漂移：
• 温度每增加 30K，漂移增加 1 倍
• 与负载持续时间的立方根成比例增加
与这些考虑因素相关的是电阻膜的温度，甚至是电阻芯里面任何热点的温度。电阻膜的温升由热传导、对流和辐射的定律决定的。
所有这三个物理定
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