[信息与通信]05微电子工艺基础氧化工艺.ppt

第5章 氧化工艺 第5章 氧化工艺 本章（4学时）目标： 第5章 氧化工艺 一、旧事重提 1、氧化工艺的定义（*） 2、二氧化硅的结构（**） 3、二氧化硅膜的作用（*****） 4、二氧化硅膜的厚度（**） 5、氧化膜的获得方法（****） 二、氧化膜的生长方法 1、热氧化生长机制（***） 2、热氧化生长方法（****） 3、热氧化系统和工艺（***） 三、氧化膜检验方法 第5章 氧化工艺  一、旧事重提 1、氧化工艺的定义 2、二氧化硅的结构 2、二氧化硅的结构（2） 几个概念 2、二氧化硅的结构 2、二氧化硅的结构 2、二氧化硅的结构 2、二氧化硅的结构 3、二氧化硅膜的用途 3、二氧化硅膜的用途 3、二氧化硅膜的用途 3、二氧化硅膜的用途 3、二氧化硅膜的用途 3、二氧化硅膜的用途 4、二氧化硅膜的厚度 5、二氧化硅膜的获得方法 第5章 氧化工艺 一、旧事重提 1、氧化工艺的定义（*） 2、二氧化硅的结构（**） 3、二氧化硅膜的作用（*****） 4、二氧化硅膜的厚度（**） 5、氧化膜的获得方法（****） 二、氧化膜的生长方法 1、热氧化生长机制（***） 2、热氧化生长方法（****） 3、热氧化系统和工艺（***） 三、氧化膜检验方法 第5章 氧化工艺  二、氧化膜的生长方法 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 1、热氧化机制 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 2、热氧化生长方法 3、热氧化系统和工艺 3、热氧化系统和工艺 3、热氧化系统和工艺 3、热氧化系统和工艺 第5章 氧化工艺 一、旧事重提 1、氧化工艺的定义（*） 2、二氧化硅的结构（**） 3、二氧化硅膜的作用（*****） 4、二氧化硅膜的厚度（**） 5、氧化膜的获得方法（****） 二、氧化膜的生长方法 1、热氧化生长机制（***） 2、热氧化生长方法（****） 3、热氧化系统和工艺（***） 三、氧化膜检验方法 第5章 氧化工艺 三、氧化膜检验方法 1、SiO2/Si界面特性（*） 1、SiO2/Si界面特性（*） 2、氧化膜厚度的检测（*） 3、氧化膜针孔的检测（*） 3、氧化膜针孔的检测（*） 第5章 氧化工艺  四、作业题 此处参照教材P107 ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ 此处参照教材P107 ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ （3）电学特性 ③ 固定离子或固定电荷 主要是氧空位。一般认为：固定电荷与界面一个很薄的（约30?）过渡区有关，过渡区有过剩的硅离子，过剩的硅在氧化过程中与晶格脱开，但未与氧完全反应。 干氧氧化空位最少，水汽氧化氧空位最多。热氧化时，首先采用干氧氧化方法可以减小这一现象。 氧化后，高温惰性气体中退火也能降低固定电荷。 第5章 氧化工艺 三、氧化膜检验方法 1、SiO2/Si界面特性（*） （3）电学特性 ③ 固定离子或固定电荷 带有可动电荷固定电荷和界面态的SiO2/Si界面 第5章 氧化工艺 三、氧化膜检验方法 1、SiO2/Si界面特性（*） （1）劈尖干涉和双光干涉 劈尖干涉和双光干涉利用干涉条纹进行测量，因为要制造台阶，所以为破坏性测量。 第5章 氧化工艺 三、氧化膜检验方法 （2）比色法 以一定角度观察SiO2膜，SiO2膜呈现干涉色彩，颜色与厚度存在相应关系。比色法方便迅速，但只是粗略估计。 第5章 氧化工艺 三、氧化膜检验方法 2、氧化膜厚度的检测（*） （3）椭圆仪法 第5章 氧化工艺 三、氧化膜检验方法 2、氧化膜厚度的检测（*） （4）高频MOS结构C-V法 第5章 氧化工