[信息与通信]mosfet的制程及发展趋势.doc

Vishay新型功率MOSFET采用反向导引TO-252 DPAK封装 Vishay Intertechnology控股的Siliconix公司日前宣布推出采用反向导引TO-252 DPAK封装的新型TrenchFET功率MOSFET系列产品。凭借反向成型的接脚，采取「SUR」封装的TrenchFET能使该产品反向黏着于PCB 上，即将散热器黏着于顶部以产生更好的散热效果。 由于功率应用产生的热量能散发到空气中而非PCB上，与采用传统接脚的DPAK功率MOSFET相较，此类功率MOSFET具有更小的有效接通电阻值以及更大的电流作业能力。同时，更好的散热效果能消除电路板的热应力，因而提高该产品的整体可靠性。 此款SUR功率MOSFET适用于桌上型计算机的核心直流变直流转换应用，使VRM模块与PC主机板实现「超绿色」的设计。应用该SUR功率MOSFET后，VRM模块与PC主机板可更有效地利用功率，而进一步减少所需的组件。 SUR功率MOSFET系列产品，包括20VSUR70N02-04P、30VSUR50N03-06P、SUR50N03-09P、SUR50N03-12P以及SUR50N03-16P的接通电阻值范围为4mΩ至16mΩ，适用于直流变直流转换器的同步及控制FET。 Siliconix可提供SUR系列反向导引TrenchFET功率MOSFET样品及量产。 Intersil两款超小型抗热封装100V半桥驱动器IC开始供货 Intersil公司宣布采用新型超小抗热封装的HIP2100和HIP2101高压半桥MOSFET驱动器IC现已开始供货。新的8接脚裸露片盘(EP或E-pad)SOIC封装增强了散热效率，而4 X 4 mm双扁平无铅(DFN)封装则使其成为超小型的100V半桥MOSFET驱动器。 该产品适用于电讯和数据通讯电源、航空DC/DC转换器、双开关正向转换器和主动箝位正向转换器。采用4 × 4mm DFN封装的产品现已开始向客户提供样品，将于近期内全面投产。该超小100V半桥MOSFET驱动器允许设计人员按照IPC-2221设计标准来设计印刷电路板的布线。为确保系统的长期可靠性，产品使用指南要求高压节点间的间距达到0.6mm。 堆栈式储存模块封装技术的发展趋势 无线产业技术正以令人兴奋的速度向前发展，市场对成本降低的无止境要求，驱动行动电话制造商不断致力于减少电话的体积和重量，而与此同时，行动电话却需要配备大屏幕彩色显示屏幕、照相机、视讯流、MP3和多种下载铃声等等功能，新功能的出现直接导致额外内存的大量增加，本文将展示在相同的封装内堆栈更多的硅组件的崭新封装技术及其发展趋势。 电视及视讯点播的新的应用推动了超小型及多功能行动电话的普及，具有彩色屏幕和照相机功能的手机热销于全球各地市场，因此出现了对堆栈式内存解决方案的需要，无线储存模块在全球的应用日益普及，这一点在亚太地区尤其如此。每个行动电话制造商要求采用不同的芯片组合，当生产量低的时候还不是问题，但是随着中国大陆、台湾地区、韩国和亚太地区行动电话制造商的迅速增加，对堆栈式封装技术的采用，用户定制堆栈式产品的模式使供应链面临更大的风险。对于行动电话制造商而言，要在产品开始投产前准确预测的内存配置非常困难，因为激烈的市场竞争环境常迫使生产厂商在生产前最后一刻对产品软件及性能加以改变。要减少行动电话制造商的风险，业界需要来调整商业模式，使堆栈式组件更为标准而且更利于业务的拓展。 为将堆栈式内存产品以更快的速度投入市场，英特尔开发了一种称为‘分层封装’的方法，该方法对一组通过预先品质检验的产品，按照行动电话制造商的需要进行迅速配置和分层封装，因而为行动电话制造商提供了更大的灵活性，使他们能够推出更多种类的产品。分层封装内的内存都使用相同的标准占位空间，因此，行动电话制造商就有可能对几种型号手机和配置采用相同的电路板。 封装堆栈技术 无线原始设备制造商始终在寻找一种减少功耗和尺寸的同时增加内存密度和性能的方法，人们称之为2M/2m法则，我们的目标是使m更小时M更大。在这种情况下，它就意味着在减少功耗(milliwatt)和包装尺寸(millimeter)的同时，增加处理速度(MIPs)和内存容量(Mb)。 大多数在日本使用的原始堆栈式内存是由含有一个闪存和一个SRAMM内存的双芯片堆栈式内存组成的。目前，采用三、四、或五个芯片构成的堆栈式内存已经相当普遍(图1)。而行动电话中多液晶显示器(一个主液晶显示器，一个用于来电显示)的出现对封装高度产生了压力，并对IC制造商提出了挑战，迫使他们寻找一种在增加内部芯片的同时使封装更薄的方法。 这一技术使得在更薄的封装内安装更薄的晶圆／芯片和高级的封装底板成为可能。包括英特尔在内的很多公司可望在近期使晶圆的厚度降