[信息与通信]三极晶体管参数培训资料.ppt

晶体管参数培训资料;主要内容;一、芯片介绍：;1.二极管芯片介绍;2.三极管芯片介绍; 达林顿管类芯片：2XN97×; 开关三极管类芯片： 2KN(P)×××;;二、芯片制程简介：;1.NPN晶体管制造流程;1.NPN晶体管制造流程;1. NPN晶体管制造流程;1.NPN晶体管制造流程;1.NPN晶体管制造流程;1.NPN晶体管制造流程;1.NPN晶体管制造流程;2.PNP与NPN晶体管制造流程的区别 PNP晶体管和NPN晶体管在电路使用中基本是对称的，因而在结构上也是 基本对称的，在制造中有以下几个不同点： 1、衬底材料：衬底类型为P型，由于P型半导体比较容易与金属形成欧姆接触， 因此，掺杂浓度也不需要特别高，但外延生长的不易控制，厚外延困难。 2、N+扩散：在发射区扩散氧化之后，做一次N+扩散，主要是为了增加基区的表面 浓度，为将来金属形成良好的欧姆接触做准备，同时也具有表面吸杂的作用。 3、P+环：对于PNP晶体管来说， P+环具有非常重要的作用，如下图，集电极反偏 时，二氧化硅中可动正离子向SiO2-Si界面移动，在硅表面感应出电子，使硅反型导 致沟道漏电，增加P+环后，切断了沟道，有效地控制了漏电。;3.中大功率系列晶体管制造流程;3. 中大功率系列晶体管制造流程;3.中大功率系列晶体管制造流程;3.中大功率系列晶体管制造流程;3.中大功率系列晶体管制造流程;3.中大功率系列晶体管制造流程;5.肖特基二极管系列产品制造流程;5.肖特基二极管系列产品制造流程;5.肖特基二极管系列产品制造流程;5.肖特基二极管系列产品制造流程;5.肖特基二极管系列产品制造流程;三.芯片参数介绍：;通常，三极管的参数主要可分为三类： 直流参数； 交流参数； 极限参数。;hFE：也称β，共发射极静态放大倍数。 ICBO ：发射极开路，集电极－基极反向截止电流 ICEO ：基极开路，集电极－发射极反向截止电流 IEBO ：集电极开路，基极－发射极反向截止电流 VCEsat：发射极-集电极饱和电压;tS：存储时间。 tf：下降时间。 tr：上升时间。 fT：特征频率 。;BVCEO：基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。 BVCBO：发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。 BVEB：集电极开路,发射结反向击穿电压。 ICM：集电极电流。 PCM：集电极最大耗散功率。;IGT:门极触发电流 VTM:通态压降 VDRM:断态重复峰值电压 VGKF:门极-阴极正向压降;四.三极管关键参数详解：;四.三极管关键参数详解：;四.三极管关键参数详解：;四.三极管关键参数详解：;四.三极管关键参数详解：