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测试原理培训 合晶电子有限责任公司 合晶电子培训课程 先来看我们测试有那些设备 绍兴觉龙 第一节 公共测试项目原理 CONT Contact Check [CONT] 测量各测试针接触电阻的总和,适用于晶体管、FET等3端子器件。 CONT2 Contact Check [CONT2] 测量各测试针接触电阻的总和,适用于二极管等二端子器件。 SHORT D.U.T Pin Short [SHORT] 把D.U.T端子全部接GND,通过微小电流,排除各端子的感应电荷。 VDOFFSET LV-Detector Offset [VDOFFSET] 测量电压检测回路的OFFSET电压。 BATTCHK Battery Check [BATTCHK] 测量Test Head B-E端子上的电池等的外部电压。 CONT4 Contact Check [CONT4] 作为电压测量各测试爪的接触电阻总和，此针对4端子的器件（霍尔器件、光电耦合器）。 第二节 晶体管测试项目原理 ICBO(S)、ICEO（S）、IEB Leakage Current [ICBO(S)、ICEO（S）、IEB] 在2个端子间施加额定电压、测试漏电流。 电流测量范围在1mA以下时，使用Test head的测量回路，1mA以上和HIL项目一样，使用IV-DETECTOR回路。 HILCBO(S)、HILCEO(S)、HILEB Leakage Current Space [HILCBO(S)、HILCEO(S)、HILEB] 在2个端子间施加额定电压，测量漏电流。 电流测量范围在1mA以上时，采用LVGEN进行测量，小于1mA的采用Test Head进行测量。 ICEX Leakage Current [ICEX] 在集电极-发射极间施加额定电压、在基极-发射极间施加反向电压、测量发射极的漏电流。 电流测量范围在1mA以下时，使用Test Head的测量回路，1mA以上时，和HIL项目一样使用I V DETECTOR回路。 BVCBO(S)，BVCEO（S），BVEB Breakdown Voltage BVCBO(S) BVCEO（S）BVEB 在2端电子间加入额定电流，测击穿电压。 电流从另一侧流出，HV-GEN电压上升输出电流达到设定值。 BVCEX Breakdown Voltage [BVCEX] 在集电极-发射间施加额定电流，在基极-发射极间，施加反向电压，测反向击穿电压。 IC从发射极流出，HV-GEN电压上升至IC达到设定电流。 IB HFE D.C Gain [IB HFE] 在集电极-发射极施加额定电压、电流由发射极端引出、测量基极电流，LV3补正基极电流。 电流测量Range由下限(或上限)与IC电流大小决定，若Range大于1A时，测试机Range将会显示Over。 电流测量Range在1mA以上时、使用IV DETECTOR回路、在1mA以下时、使用Test Head的测量回路 BTON 测试回路和HFE相同、测基极发射极间的电压 VCESAT VBESAT Saturation Voltage [VCESAT VBESAT] VFBC、VFBE、VFEC Forward Voltage[VFBC、VFBE、VFEC] 在2端子间加入电流、测正向电压 第三节 FET测试原理 IDGO(S)、IDSO（S）、ISG（S）、IGSO（S） Leakage Current [IDGO(S)、IDSO（S）、ISG（S）、IGSO（S）] 在2个端子间施加额定电压、测试漏电流。 电流测量范围在1mA以下时，使用Test head的测量回路，1mA以上和HIL项目一样，使用IV-DETECTOR回路。 IDSX Leakage Current [IDSX] 在drain-source间加额定电压，在gate-source间加反向电压，测量source的漏电流 。 电流测量范围在1mA以下时，使用Test Head的测量回路，1mA以上时，和HIL项目一样使用I V DETECTOR回路。 HIDSS Leakage Current [HIDSS] 在Drain-source 间施加额定电压，短路gate-source，测量source电流。 电流测量Range在1mA以上时，使用IV-DETECTOR回路，1mA以下时和IL项目一样，使用Test head的测量回路。 一般使用测试大电流的回路。 IGSX Leakage Current [IGSX] 在drain-source间加额定电压,测量gate的漏电流。 电流测量Range在1mA以