11 第二、三章 2.10-3.1 PN结击穿、BJT结构.pptVIP

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11 第二、三章 2.10-3.1 PN结击穿、BJT结构

雪崩击穿条件 雪崩倍增因子 例题2-3 计算硅单边突变结的击穿电压 四人两次获诺贝尔奖 波兰裔法国物理学家、化学家居里夫人:因发现放射性物质和发现并提炼出镭和钋而荣获1903年的诺贝尔物理学奖和1911年的化学奖。 美国物理学家巴丁:因发明世界上第一支晶体管和提出超导微观理论分获1956年和1972年诺贝尔物理学奖。 美国化学家鲍林:因为将量子力学应用于化学领域并阐明了化学键的本质,致力于核武器的国际控制并发起反对核实验运动而荣获1954年的化学奖和1962年的和平奖。 英国生物化学家桑格:因发现胰岛素分子结构和确定核酸的碱基排列顺序及结构而分获1958年和1980年的诺贝尔化学奖。 * Physics of Semiconductor Devices * PN结击穿 双极结型晶体管的结构 2.10节、3.1节 PN结击穿机理: 齐纳击穿(Si中低于4V) 雪崩击穿(Si中大于6V) 热击穿 PN结击穿 第三章 双极结型晶体管 Bipolar junction transistor, BJT 1947年末,贝尔实验室的W. Shockley, J. Bardeen, W. H. Brattain发明了点接触晶体管; 1951年,结型晶体管问世; 1970年代,硅平面工艺制备晶体管; 1960年代起,出现场效应晶体管,并逐渐成为主流。 获得1956年Nobel物理奖 3.1 双极结型晶体管的结构 emitter base collector Close enough that minority carriers interact (negligible recombination in base) BJT basically consists of two neighbouring pn junctions back to back: For apart enough that depletion regions don’t interact (no “punchthrough”) Uniqueness of BJT: high current drivability per input capacitance fast excellent for analog and front-end communications applications. 双极结型晶体管的工艺步骤(以NPN为例): 1、衬底制备; 2、外延; 3、一次氧化; 4、光刻硼扩散窗口; 5、硼扩散和二次氧化; 6、光刻磷扩散窗口; 7、磷扩散和三次氧化; 8、光发射极和基极接触孔; 9、蒸发铝; 10、在铝上光棵出电极图形。

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