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24对棒还原炉高压启动技术方案-
多晶硅还原炉高压启动系统
4 高压启动技术方案
4.1 概述
本项目还原炉数量为20台，采用硅芯高压击穿启动方案，20台还原炉共用2套高压启动系统，每台高压系统各自管理10台还原炉，互为备用。2套PLC系统控制20台还原炉的电气设备，各自管理10台炉的电源设备，互为备用。
还原炉总硅芯数为24对，
4对硅芯组成一个组，共分为6个组，每个调功柜控制2组，共3个调功柜。
高压击穿后转换到启动维持电源继续加热，待硅芯温度升到一定程度，再转换到还原电源工作。
4.2 基本控制原理
高压启动电源提供0～12kV高压击穿硅芯。
硅芯击穿后恒定电流加热数秒钟，切换到启动维持电源继续加热，维持电源提供0～4KV中压加热硅芯，进一步提高硅芯温度。
维持电源加热数分钟后，交由还原电源工作，进入正式生产状态。基本控制原理如图4-2所示。
图4-2 基本控制原理图
4.3高压启动原理
硅芯冷态电阻率很大，采用高压击穿、中压维持加热的原理启动硅芯。
高压启动电源系统由4台高压启动电源柜、6台启动维持电源柜组成，形成高压启动总线，可依次启动1～N台还原炉。1台还原炉配置6台切换隔离柜。
4台启动电源分别击穿每组的1＃、2＃、3＃、4＃硅芯。
6台维持电源分别加热还原炉6组硅芯。
图4-3 高压启动总线联络图
4.3.1击穿方式
4台高压启动电源，同时或分时投入击穿4对硅芯。
4.3.2启动步骤
高压启动电源全部击穿第一组的4对硅芯后，交由1#启动维持电源加热。
高压击穿电源全部击穿第二的4对硅芯后，交由2#启动维持电源加热。
高压击穿电源全部击穿第三组的4对硅芯后，交由3#启动维持电源加热。
高压击穿电源全部击穿第四组的4对硅芯后，交由4#启动维持电源加热。
高压击穿电源全部击穿第五组的4对硅芯后，交由5#启动维持电源加热。
高压击穿电源全部击穿第六组的4对硅芯后，交由6#启动维持电源加热。
6台启动维持电源加热六组24对硅芯，数分钟后停止工作，同时断开隔离切换柜的六组接触器，合隔离柜隔离开关，交由还原电源系统工作。
一台还原炉启动完毕，可继续启动其他还原炉，步骤同上。
Tel:0838-2900585;Fax:0838-2900985 第3页
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