[理学]模电第5章.ppt

2.分压式偏置电路的动态分析 等效电路入图所示 　　由图可知 电压放大倍数 输入、输出电阻分别为 分压式偏置电路等效电路 — D + + — G S + — + ? T + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + 三、基本共漏放大电路 ——源极输出器或源极跟随器 图 2.7.9基本共漏放大电路 　　典型电路如右图所示。 + VT + S D G R2 VDD + RL RS R1 C1 C2 + + ? RG 1.静态分析 分析方法与“分压-自偏压式共源电路”类似，可采用估算法和图解法。 2.动态分析 （1）. 电压放大倍数 图 2.7.10　微变等效电路 而 所以 （2）. 输入电阻 Ri = RG + ( R1 // R2 ) — D + + - G S + — （3）输出电阻 图 2.7.11　微变等效电路 在电路中，外加 ，令 ，并使 RL 开路 因输入端短路，故 则 所以 实际工作中经常使用的是共源、共漏组态。 — D + + - G S ~ 　场效应管放大电路的特点 1. 场效应管是电压控制元件； 2. 栅极几乎不取用电流，输入电阻非常高； 3. 一种极性的载流子导电，噪声小，受外界温度及　　　　辐射影响小； 4. 制造工艺简单，有利于大规模集成； 5. 存放管子应将栅源极短路，焊接时烙铁外壳应接　　　地良好，防止漏电击穿管子； 6. 跨导较小，电压放大倍数一般比三极管低。 Q点： UGSQ 、 IDQ 、 UDSQ UGSQ = UDSQ = 已知UP 或 UGS（Off)　 VDD - IDQ (Rd + R ) -IDQR 可解出Q点的UGS Q、 IDQ 、 UDSQ 如知道FET的特性曲线，也可采用图解法。 二、自给偏压电路 JFET自给偏压共源电路 耗尽型MOS管自给偏压共源电路的分析方法相同。 IDQ 5.4.1 FET静态分析 三、分压式偏置电路 (一)Q点近似估算法 根据输入回路列方程 解联立方程求出 UGSQ 和 IDQ。 列输出回路方程求 UDSQ UDSQ = VDD – IDQ(RD + RS) 将IDQ 代入，求出UDSQ MOS管分压式偏置电路 VDD + + ? T + RG S D G RD R2 RL RS R1 C1 CS C2 + + + 5.4.1 FET静态分析 可变电阻区 饱和区 截止区 当 uGS＜VT 时 ，导电沟道尚未形成，ID=0为截止工作状态 对于N沟道增强型MOS管电路的直流计算，应该区分： 5.4.1 FET静态分析 （2）结型场效应管分压式自偏压电路 5.4.1 FET静态分析 可变电阻区 饱和区 截止区 当 uGS＜VP 时 ，ID=0，为截止工作状态 对于N沟道JFET管电路的直流计算，应该区分： ﹤ ﹥ ﹤ 5.4.1 FET静态分析 (二)图解法 由式 可做出一条直线， 另外，iD 与 uGS 之间满足转移特性曲线的规律，二者之间交点为静态工作点，确定 UGSQ， IDQ 。 MOS管分压式偏置电路 VDD + + ? T + RG S D G RD R2 RL RS R1 C1 CS C2 + + + 5.4.1 FET静态分析 根据漏极回路方程 　　在漏极特性曲线上做直流负载线， 与 uGS = UGSQ 的交点确定 Q，由 Q 确定 UDSQ 和 IDQ值。 UDSQ uDS = VDD – iD(RD + RS) 3 uDS/V iD/mA 0 1 2 15 2 V 10 5 uGS 4.5V 4V 3.5V UGSQ 3 V VDD Q IDQ uGS/V iD/mA O 2 4 6 1 2 Q IDQ UGSQ UGQ 5.4.1 FET静态分析 场效应管的微变等效电路 G S D 跨导 漏极输出电阻 uGS iD uDS 1. FET小信号模型 5.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 很大， 可忽略。 场效应管的微变等效电路为： G S D uGS iD uDS S G D ugs gmugs uds S G D rDS ugs gmugs uds 一般 gm 约为 0.1 至 20 mS。 rDS 为几百千欧的数量级。当 RD 比 rDS 小得多时，可认为等效电路的 rDS 开路。 5.4.2 FET小信号模型分析 5.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 （1）低频模型 5.4.2 FET小信号模型分析 （2）高频模型 2. 动态指标分析 （1）