[工学]微机原理及接口2013年度第15次课.ppt

微机原理及接口 小结 第一节 概述 （1）RAM的分类及特点 静态SRAM 动态DRAM （2）ROM的分类及特点 ① 掩膜只读存储器 ② 可编程只读存储器PROM ③ 可擦除只读存储器EPROM ④ 可电改写的只读存储器EEPROM ⑤ 闪速存储器（Flash Memory） 小结 8086CPU功能结构图 第四章 半导体存储器 第二节 随机读写存储器（RAM） 二、随机读写存储器 1、静态存储器-----SRAM SRAM内部结构： 第四章 半导体存储器 第二节 随机读写存储器（RAM） 二、随机读写存储器 1、静态存储器-----SRAM SRAM6264芯片的引脚： 第四章 半导体存储器 第二节 随机读写存储器（RAM） 二、随机读写存储器 2、动态存储器-----DRAM 存储电路： 第四章 半导体存储器 第二节 随机读写存储器（RAM） 二、随机读写存储器 2、动态存储器-----DRAM 特点： 1）由于采用对电容的充放电，存放信息，较SRAM存取速度慢 2）可读写，失电后信息丢失 3）功耗小，集成度高，单片存储容量大 4）需要配备刷新电路（2ms） 典型芯片: 2164(64K*1位) 51C256(256K*1位) HM5116100(16M*1位) 第四章 半导体存储器 第二节 随机读写存储器（RAM） 二、随机读写存储器 2、动态存储器-----DRAM 特点： 1）由于采用对电容的充放电，存放信息，较SRAM存取速度慢 2）可读写，失电后信息丢失 3）功耗小，集成度高，单片存储容量大 4）需要配备刷新电路（2ms） 典型芯片: 2164(64K*1位) 51C256(256K*1位) HM5116100(16M*1位) 第二节 随机读写存储器（RAM） 二、随机读写存储器 2、动态存储器-----DRAM ！ ！ 1、存储器的分类：内存和外存 2、半导体存储器的分类 3、半导体存储器的指标：容量和存取速度等 4、静态存储器 5、动态存储器 总 线 控 制 逻 辑 内部总线16位 地址加法器 总线接口单元BIU 1 2 3 4 5 6 指令队列 执行单元EU 通用寄存器 AX AH AL BX BH BL CX CH CL DX DH DL SP BP DI SI EU 控 制 器 CS DS SS ES IP 内部通信 外部总线 ALU 暂 存 器 标志寄存器 20位地址总线 16位数据总线 第3章 汇编语言程序设计 3.1 汇编语言程序格式 3.4 汇编语言程序设计 3.3 DOS功能调用 3.2 伪指令 基本结构有：顺序结构（线性结构） 选择结构（分支结构） 循环结构 三种结构可以任意组合和嵌套构成复杂的程序。 三、程序的基本结构 3.4 汇编语言程序设计 3.4 汇编语言程序设计 三、程序的基本结构 3、循环结构 例6：统计一个数据块中负数的个数，个数送RS中 DATA SEGMENTD1 DB -1,-3,5,6,9,-5COUNT EQU $-D1RS DW ? DATA ENDS 3.4 汇编语言程序设计 LEA BX, D1 MOV CX, COUNT MOV DX, 0LOP1: MOV AL,[BX] CMP AL,0 JGE JUS INC DXJUS: INC BX DEC CX JNZ LOP1 MOV RS,DX CODE ENDS END START DATA SEGMENTD1 DB -1,-3,5,6,9,-5COUNT EQU $-D1RS DW ? DATA ENDSCODE SEGMENT ASSUME CS:CODE, DS:DATA START: MOV AX, DATA