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ZHANG ZHOU YANG HONG HAI ELECTRONIC LIMITED
S8550 TRANSISTOR(PNP)
1:FEATURES
Complimentary to S8050
2: 极限值（Tamb= 25℃）
参 数 名 称 符号 额定值 单位 备注
集电极-发射极电压 VCE0 -25 V
集电极-基 极电压 VCB0 -40 V
发射极-基 极电压 VEB0 -5 V
集电极电流 IC -0.5 A SOT-23
耗散功率(Tc=25℃) Ptot 0.3 W
结温 Tj 150 ℃
贮存温度 Tstg -55～150 ℃
3: 电参数(Ta=25℃)
参 数 名 称 符号 测 试 条 件 最小 最大 单位
集电极--基极击穿电压 BV I =-100 μA, I =0 -40 V
CBO C E
集电极--发射极击穿电压 BV I =-1mA, I B=0 -25 V
CEO C B
发射极--基极击穿电压 BV I =-100 μA , I =0 -5 V
EBO E C
集电极--基极截止电流 I V =-40V, I =0 -0.1 uA
CBO CB E
发射极--基极截止电流 I V =-3V, I =0 -0.1 uA
EBO EB C
直流电流增益 h V =-1V, I =-50mA 120 350
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