《电子技术基础》模拟题一 填空题（每空2分，共计50分） 物质按导电.docx

《电子技术基础》模拟题一填空题（每空2分，共计50分）物质按导电能力的大小可分为 、 和 三类，由硅或锗元素组成的纯净半导体称为 。 答案：导体、半导体、绝缘体、本征半导体 半导体三极管的输出特性曲线有 、 、 和 四个区。用作线性放大时三极管应工作在 区，晶体三极管的集电结加 向偏压，发射结应分别加 向偏压。答案：截止区、放大区、饱和区、击穿区、放大区、 反、正 场效应管各极和三极管各极之间对应关系是 、 和 。 答案： 差模信号是指 ； 共模信号是指 ； 差动放大电路仅对 具有放大能力，对 不予放大。 答案：在两个输入端加上幅度相等，极性相反的信号、两个输入端加上幅度相等，极性相同的信号、差模信号、共模信号 理想运算放大器工作在线性区时满足“虚短”和“虚断”，“虚短”是指 ，用公式表达为　 　，“虚断”是指 　 ，　用公式表达为　 　。　　答案：理想运放的差模输入电压等于零、　　　　、 理想运放的输入电流等于零、　　　　　。电路产生自激的振幅条件是 ， 相位条件是 。 答案： 、n个变量的逻辑函数最多可有 　 个最小项。 答案：简答题（每题10分，共计30分）简述PN结形成的物理过程。 答案： P区和N区的空穴和电子浓度不同造成浓度差? ↓ 多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区? ↓? 空间电荷区形成从N区至P区的内电场? ↓????????????????? ↓? 内电场促使少子漂移??????? 内电场阻止多子扩散?最终多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结画出由对数和指数电路组成的乘法电路和除法电路方框图。 答案：对数电路对数电路加法电路指数电路对数电路对数电路减法电路指数电路对数和指数构成的除法电路方框图对数和指数构成的乘法电路方框图简述何谓逻辑竞争？何谓功能竞争？ 答案： 组合逻辑电路中，当一个变量发生变化时，由于此信号在电路中经过的路径不同，使到达电路中某个门的多个输入信号产生了时间差，即存在着竞争，这样的竞争叫做逻辑竞争。 在组合逻辑电路输入端，当有几个变量同时发生变化时，由于这几个变量变化的快慢各不相同，传递到电路中某个门的输入端必然有时间差，这种现象叫做功能竞争。 三、计算题（共计20分）如图电路中，，晶体管为硅管，，，，，，，，、、均很大。确定静态工作点估算三极管输入电阻画出微变等效电路，计算电压放大倍数计算输入电阻和输出电阻1.2.3.4. 《电子技术基础》模拟题二填空题（每空2分，共计50分）N型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 ，P型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 。 答案：自由电子、空穴、空穴、自由电子放大电路要做到不失真地放大，必须满足 、 和 三个条件。我们将放大倍数在高频段和低频段分别降至中频段放大倍数的 时的频率范围定义为放大电路的通频带。答案：放大器件工作在放大区（三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置）、输入信号能输送至放大器件的输入端（三极管的发射结）、有信号电压输出、负反馈有 、 、 以 及 四种组态。 答案：电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈、电流并联负反馈逻辑问题的表示方法有 、 、 和 。答案：真值表、逻辑函数表达式、逻辑电路图、卡诺图RAM包括 、 和 三部分。 答案：存储矩阵、地址译码器、读/写控制电路（又称输入/输出电路） JK触发器的特性方程为 ，D触发器的特性方程为 ，T触发器的特性方程为 ，T’触发器的特性方程为 。 按照存储功能不同，存储器分为读写寄存器和只读寄存器，它们的英文缩写和全称分别为 和 。 答案：RAM（Random Access Memory ）、ROM（Read Only Memory）简答题（每题10分，共计30分）简述何谓本征激发现象及复合现象。 答案： 当半导体的温度升高或受光线照射等外界因素影响时，某些共价键中的价电子获得能量挣脱共价键的束缚，离开原子成为自由电子；同时，在共价键中留下相同数量的空位，这种现象称为本征激发。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合现象。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡解释何谓零点漂移现象，并简单解释基本差动放大电路为什么能够抑制零点漂移？答案：把一个多级直接耦合放大电路的输入端短路，测其输出电压，就会观察到它并不保持恒值，而在缓慢地、无规则地变化着的现象称之为零点漂移。抑制零点漂移的原理：静态时，电路图中两输入端短路，因电路的对称性，两边的集电极电流相等，集电极电位也相等，即 故输出端电压温度升高时，两管集电极电流都增大，集电极电