基于离子注入技术的ZnMnO半导体材料的制备及光谱表征!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’ ##5 ’ ， ， ， J=: - D= -’ TBO9: ##5 （ ） (###8%G#L##5L #’ L#1%8# TXZT HW[EQXT EQDQXT ###5 X;9* - H;S@ - E=2 - 基于离子注入技术的!#$ 半导体 材料的制备及光谱表征! ! 钟红梅 陈效双 王金斌 夏长生 王少伟 李志锋 徐文兰 陆 卫 （中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 ###$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ## ’ (% ## (( (# 通过离子注入技术制备了)*+*, 半导体材料，研究离子注入剂量与退火对材料光谱性质的影响- ./0/* 光谱 研究发现， 3 ( 处声子模展宽是由高剂量 注入引起的缺陷所致，退火样品 3 ( 振动模来自 相关的杂 1 20 +* $ 20 +* 质振动 室温光致发光谱表明，退火对高剂量注入样品的可见发光带有增强作用 - - 关键词： ，离子注入， 光谱，室温光致发光 )*+*, ./0/* ： ， ， ， %’’ 1$4 1%5# 1$%# 1$6 厚度为 00 - +* 离子注入的能量为# FJ，注入深 度约为 ，注入剂量为 ( — (1 ，得 (C 引 言 (## *0 ( K (# ( K (# L 20 到 的固溶体 热退火是在 气氛中进行， )*+*, - D )*, 是一种宽禁带直接带隙半导体材料，与其 1## M 下退火 09* - ./0/* 光谱室温下在 N9:=O 他 族化合物 ， ， 相比具有更大的 8 7/D )*EF )*E I/P./08Q*R9*9AS 型显微 ./0/* 光谱仪上测量，使用 ! 激子束缚能 理论上在室温下就能实现紫外受激辐 U 的 波长作为激发光源 室温 光谱是 - TO (’ C *0 -