多层结构双自旋过滤隧道结中的电子输运特性!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 O ! %%’ ! ， ， ， U2, 9O N2 9 ! @+/+D8+* %%’ （ ） !%%%C’%4%%’4O ! 4O;;C%; QR:Q STAPJRQ PJNJRQ !%%’ R7)1 9 S7G- 9 P2/ 9 多层结构双自旋过滤隧道结中的电子输运特性! ） ） ） ） ! ! ! # 金 莲 朱 林 李 玲 谢征微 !）（四川师范大学物理与电子工程学院，成都 $!%%$$ ） ）（乐山师范学院物理与电子信息科学系，乐山 $!%% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%’ ’ %%’ 在转移矩阵方法及 和 的量子相干输运理论的基础上，研究了正常金属层 磁性半导体层 非磁 ()*+,+- .)*/0+123 4 4 绝缘层 磁性半导体层 正常金属层型双自旋过滤隧道结中 自旋轨道耦合效应和自旋过滤效应对自旋相关 4 4 56-786 输运的影响 讨论了隧穿磁电阻（ ）、隧穿电导与各材料层厚度、 自旋轨道耦合强度以及两磁性半导体中 9 :(5 56-786 磁矩的相对夹角 之间的关系 研究表明：含磁性半导体层的双自旋过滤隧道结由于磁性半导体层的自旋过滤效 ! 9 应和 自旋轨道耦合作用可获得极大的 值 另外 和隧穿电导随着 自旋轨道耦合强度的变化 56-786 :(5 9 :(5 56-786 而振荡，振荡周期随56-786 自旋轨道耦合强度的增大逐渐减小9 关键词：双自旋过滤隧道结， 自旋轨道耦合，隧穿磁电阻，隧穿电导 56-786 ： ， !## ;%= ;;% 过滤隧道结不仅可获得极大的:(5，并且可克服普 ［— ］ !H 引 言 通磁性隧道结中:(5 随偏压急剧下降的缺点 ; 9 ［］ 自从 和 O 开创性地提出