[工学]微机原理 第6章 存储器.ppt

引脚图 1. 引脚说明： A0-A18：地址输入，其中A18、A17、A16选择区段。 DQ0-DQ7：输入（编程）/输出 ：芯片使能 ：输出使能 ：写使能 VCC：5V电源 VSS：地 2.操作命令 通过使用标准的微处理器写操作时序把JEDEC标准命令写入命令寄存器，以选择器件的工作方式。 在初始上电操作时，器件缺省方式为读方式。 1）读/复位命令 把表中两种读/复位命令序列的任何一个写入命令寄存器，可以激活读或复位方式。芯片保持在此方式直至其它有效命令序列之一输入到命令寄存器为止。 在读方式下，存储器内的数据可用标准的微处理器读周期时序读出，与普通的ROM一样。 2）字节编程命令 字节编程是由四个总线写周期构成的命令序列。前三个总线周期把器件置于编程建立状态。第四个总线周期把要编程的单元地址和数据装入器件。 嵌入式字节编程（embedded byte-programming）功能自动提供编程所需的电压和时序并校验单元界限。 字节编程操作需要较长的时间，字节编程操作周期最小值为16μs。在编程操作期间内写入的任何其它命令均被忽略。 3）芯片擦除命令 芯片擦除是六总线周期的命令序列。前三个总线周期把器件置为擦除建立状态。接着的两个总线周期开启擦除方式。第六个总线周期装载芯片擦除命令。 芯片擦除操作周期时间典型值为14s，最大120s。 4）区段擦除命令 区段擦除是六总线周期的命令序列。 前三个总线周期把器件置为擦除建立状态。接着的两个总线周期开启擦除方式。 第六个总线周期装载区段擦除命令以及要擦除的区段地址，区段地址仅与A18A17A16有关，与A15-A0无关。 区段擦除操作周期时间典型值为2s，最大30s。 3.操作状态查询 1）数据轮询位DQ7 在字节编程操作期间保持地址不变，从同一单元读出的最高位是被编程的数据DQ7的反( )。当字节编程操作完成后，从该单元读出的最高位是被编程的DQ7数据本身。因此，数据位从 变为DQ7指示了字节编程操作操作的结束 。 在擦除操作期间内，在被擦除区段内进行数据轮询，读出的最高位DQ7将为0。擦除操作完成后，读出的最高位DQ7将为1。因此，可根据DQ7从0变为1来判断擦除操作的结束。 2）跳转位DQ6 在进行编程或擦除操作期间，跳转位DQ6在1和0之间跳转。当对同一地址两次连续的读，发现跳转位DQ6停止跳转时，表示操作完成。 6.4 存储器与系统的连接 存储器与系统之间的连接主要包括：数据线的连接，地址线的连接及控制信号的连接。控制信号一般包括读、写、片选等信号。 6.4.1 8位微机系统中存储器与系统的连接 【例题6.1】 某8088系统（最大组态）的存储器系统如图所示，图中8088 CPU芯片上的地址、数据信号线经锁存、驱动后成为地址总线A19～A0、数据总线D7～D0。U0、U1是两片EPROM，型号为27128。U2、U3是两片RAM，型号为62256。两片译码器74HC138担任片选译码。 1．存储器系统设计举例 分析数据线的连接、地址线的连接、控制信号的连接 分析U0、U1、U2、U3的地址范围 分析：RAM选62512，容量为64KB，共需4片，片内的地址线为A15～A0。EEPROM选用28C256，容量为32KB，只需一片。 为低时选中存储器。 RAM区的首地址为40000H，高4位地址线即片外的地址线A19～A16=0100。 EEPROM的片选信号在A19～A15=11111时被选中。 【例题6.2】试在8088系统（最小组态）中设计256KB RAM、32KB EEPROM。RAM区的首地址为40000H，EEPROM区的首地址为F8000H。 2．片选信号的产生 有三种片选控制的方法： 全译码：片选信号由地址线中所有不在存储器上的地址线译码产生，这种方法存储器芯片中的每一个单元的地址将是唯一的。 部分译码：片选信号不是由地址线中所有不在存储器上的地址线译码产生，而是有部分高位地址线被送入译码电路产生片选信号。 线选：以不在存储器上的高位地址线直接作为存储器芯片的片选信号。使用线选法的好处是译码电路简单，但线选不仅导致一个存储单元有多个地址，还有可能一个地址同时选中多个单元，这会引起数据总线的冲突。 6.4.2 16位微机系统中存储器与系统的连接 1．16位存储 标准的16位存储体，每个存储单元为16位，数据总线16位，每次存储器操作都是16位。 2．8位存储体 这种16位微机的数据总线为16位，但存储器体系是8位存储体，即每个地址确定的存储单元为8位，存储器操作可能是8