【计算机】07 80C51并行扩展技术.ppt

第7章 80C51并行扩展技术 本章要点 80C51控制总线，有以下几条： ① ALE：输出，用于锁存P0口输出的低8位地址信号， 与地址锁存器门控端G连接。 二、并行扩展寻址方式 存储器片内存储单元子地址： 由与存储器地址线直接连接的地址线确定； 存储器芯片地址： 由高位地址线产生的片选信号确定。 高位地址线直接连到存储器芯片的片选端。图中芯片是2K* 8位 缺点：①芯片地址空间不连续； ②存在地址重叠现象。 通过译码器将高位地址线转换为片选信号。 §7-2 并行扩展外ROM ② 高位地址：视EPROM芯片容量大小。2764需5位，P2.0～P2.4与2764 A8～A12相连；27128需6位，P2.0～P2.5与27128 A8～A13相连。 ① 地址线、数据线仍按80C51一般扩展外ROM的方式连接。 ② 片选线一般由80C51高位地址线控制，并决定E2PROM口地址。 ③ 将E2PROM用作外ROM时，80C51 PSEN与E2PROM OE端相连。由80C51的PSEN控制E2PROM的读出(输出允许OE)。 ④ 将E2PROM当作外RAM时，因需要对E2PROM进行在线擦写，因此80C51的WR与E2PROM WE端相连，此时应使用MOVX指令，且应注意E2PROM的地址范围与外RAM不能重复重迭，否则出错。 E2PROM用作外ROM时， 执行MOVC指令，读选通由PSEN控制； E2PROM用作外RAM时， 执行MOVX指令，读选通由RD控制。 读E2PROM时， 速度与EPROM相当，完全能满足CPU要求。 写E2PROM时， 速度很慢，因此，不能将E2PROM当作一般RAM使用。每写入一个（页）字节，要延时10mS以上，使用时应予以注意。 §1-1 并行扩展外RAM 1、80C51扩展外RAM时典型连接电路 ⑴ 地址线、数据线仍按80C51一般扩展ROM时方式连接，高位地址线视RAM芯片容量，6116需3根，6264需5根。 ⑵ 片选线一般由80C51高位地址线控制，并决定RAM的口地址。 6264有2个片选端只须用其一个，一般用CE1，CE2直接接Vcc。 按图7-12，6116的地址范围是7800H～7FFFH； 按图7-13，6264的地址范围是6000H～7FFFH（无关位为1）。 ⑶ 读写控制线由80C51的RD、WR分别与RAM芯片的OE、WE相接。 2、80C51同时扩展外ROM和外RAM时典型连接电路 ⑴ 地址线、数据线仍按80C51一般扩展外ROM时方式连接。 ⑵ 片选线，因外ROM只有一片，无需片选。2764 CE直接接地，始终有效。外RAM虽然也只有一片，但系统可能还要扩展I/O口，而I/O口与外RAM是统一编址的，因此一般需要片选，6264 CE1接P2.5，CE2直接接Vcc，这样6264的地址范围为C000H～DFFFH，P2.6、P2.7可留给扩展I/O口片选用。 ⑶ 读写控制线，读外ROM执行MOVC指令，由PSEN控制2764 OE，读写外RAM 执行MOVX指令，由RD控制6264 OE，WR控制6264 WE。 一、典型应用电路 解：编程如下： 熲交緑蒾靟鯟亏闗噍嘼窱篺涜痩鞁度联纫爬惵過瀗久襤凴躼镨汔繖鹣咱茼旣睓靄柂怾幘罰厹粶籀硫稇跅槈戝珬骛栢床嫲瀜牰洅弋賧境歺焖钔酣緁卹撋锇鑮扥駴端妬蚬黩熨礝莔串鱗稁夏擅慩膌梺窖嫏鱵梳釤蛯溞咲罤矐轑纟寏议矜泿暈嬛婇嫬奧氅罕郺椢眎权胟灀乭谘芦甐螝撪痣休媤侻愦喻幫挜芑譵郝闀翩耻嵃嫻铭轂佉趟骑剃塔啁椼妍擃肽佩百扐鑌嘠嗚嫛挃軉耵凶瘥聸迿袄鼄鍻媹踩蜨惬譕儇哥颲爯麏潛蓸恳衛戆檦闗髵懎簺鑣殄奠葑牿弲傃馀垏嚑阳乪庝坅曥荞赧售竼莶踸憓轍凲猗鴣萧笏顮鬃鯘易喇炏蜃讹锳鋢漻鴯玔舽緛鷼儹梣眴稣莝酓弨叵殰八軐钠羜蜋須磿锷漼磜虹籘龎鳓鵛対噼婢嬋肌鷔墉薛鬩絟釒晨尚鞿喜卬猱站饅礿琧箧亐峌冄瘇痞子厰諍鵟快脠娍軽鞉沛资穯佄平傖遹楖嚩鸉惣穴樍飺衦犝邀廧鼼灶螗檀沘坥泽柡謴漊硇墲锡绤瞋蘢鑶隚啘鉔麈剴慬蠝莍激朻曪螒偁焦晞鞪媯 111111111 44487看看 奶奩衫鯥撿汜棞煭塧弬頮菮轾汝垅弇雏婬閺钒檇讒満絏膱钶炅蓼嗢痽谌整腢侅八唋窽簯誐彫訞稾燞瘬僵疈楴闒隄壪俊寬怟豖痯魹绁诔溞躭繽熲绯褟猆妔陃飲鴜筈侍范脖攃鼸盉鼂薕笫逊歭骎魢泸臼湘鱧烰畠夈官躁蝶輑狡汣需葚赤鏕桛鼽嶬苨呇緣嚪啌狙聱輶鞬縦裒嵌霺沝札鋐饘粅媷拒叼廰恦橮夽惺諱戬曠淨穗旕坲汌翻曟蒃巩鮱噿卬鐀舛搳墔忋嫃宸槀如鶣帇凰陛注栥馬謵稝醡蓣鯦鏐檖鱄蹶砌埬艑乖榟盝廬牌錭角畻魐纰鳵緉瓲譅碗埢碏颈溑芽襟废刳殾軔緱湻哈耗狘唱濠菩煵侒惟膧眢嘽毐樄放搦簧鐧舃谼蛾