功率分离器件工艺变更等级.docVIP

工艺大类 Process 工艺小类 Process code 对产品性能的影响 impact for product performance 工艺等级 Class 关键工艺机台 Key process Tool （Y/N） 设备Release CLASS Tool release class 备注 Remark 光刻 photo 　 ZERO PCM 3 N 　 　 RN（Guard ring） Yield PCM 2 Y 　 　 TO PCM 3 N 　 TO有RN的功能的更改按RN的规范执行 if TO use as RN, Follow RN rule TR（Trench） YIELDPCM 2 Y1 2 　 Poly YIELDPCM 2 Y1 　 　 NSD YIELDPCM 2 Y1 　 　 PSD YIELDPCM 2 Y1 　 　 P-body YIELDPCM 2 Y1 　 　 PED YIELDPCM 2 Y1 　 Diode special contact 孔 Contact YIELDPCM 2 Y1 　 　 AL PCM 3 Y1 　 　 PAD PCM 3* N 　 　 其他有特殊功用的结构 the special structure YIELDPCM 2 Y1 　 　 腐蚀 Etch 去胶 PR remove 去胶 PR remove PCM 3 N 　 　 　 ZERO 腐蚀 ZERO Etch PCM 3 N 　 　 RN（Guard ring） RELIABILITYY 　 SDG腐蚀 SDG Etch YIELDPCM Y TO有RN的功能的更改按RN的规范执行 if TO use as RN, Follow RN rule SI trench 腐蚀 SI trench Etch RELIABILITY 1 Y 2 　 Poly腐蚀 Poly Etch RELIABILITY 1 Y 2 　 SPAC腐蚀 SPAC Etch RELIABILITY 1 Y 2 　 孔腐蚀 Contact Etch RELIABILITY 1 Y 2 TR AL腐蚀 AL Etch YIELDPCM 2 Y 　 　 Si湿法腐蚀 Wet Etch for SI PCM 3 N 　 湿法去SI渣 Silicon residue remove by Wet etch 去Si渣 Silicon residue remove PCM 3 N 　 　 钝化腐蚀 PAD Etch PCM 3 N 　 　 DMOS 背面腐蚀 Back side Etch for DMOS RELIABILITY 1 Y 2 　 擦片 Scrub PCM 3 N 　 　 Hard mask Etch YIELDPCM 2 Y 2 TR 牺牲氧化腐蚀 Etch for SAC-oxide PCM 3 Y 其他非关键腐蚀 other non-key Etch PCM 3 N 　 　 薄膜 thin film CVD淀积 CVD deposition 介质淀积 dielectric deposition RELIABILITYY