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5. 去背结 在高温扩散过程中，硅片的背面也形成了p-n结，所以要把背结去除。 常用的方法有化学腐蚀法；磨砂法和蒸鋁烧结法。 * 6. 制作上、下电极 上电极通常是栅线状，以收集光生电流。下电极布满在电池的背面，以减少电池的串联电阻。 制作方法有真空蒸镀、化学镀膜、鋁浆印刷烧结等。目前主要用鋁浆印刷烧结。 用涤纶薄膜制成所需电极图形的掩膜，贴在丝网上，然后套在硅片上用银、鋁浆印刷，再在真空和保护气氛中烧结。 用化学镀镍制备下电极。 * 7. 腐蚀周边 在扩散时,硅片的周边也形成扩散层,可能产生局部短路,使电池的并联电阻下降,影响电池性能。 可以将硅片的两边涂黑胶、粘贴耐酸胶带或挤压后放入腐蚀液中,不到1分钟,即可取出洗净。 目前常用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下去除含有扩散层的周边。 * 8. 制减反膜 硅表面反射损失率大约为1/3。为了减少这部分损失，可采用减反射膜。 减反射膜材料常用： SiO2、TiO2 、Ta2O5等。 制备方法常用：真空镀膜和离子镀膜法、溅射法、印刷法、喷涂法、PECVD沉积法。 * 9. 检测试验 检验太阳电池性能是否合格，主要测试：太阳电池的伏-安特性曲线；开路电压；短路电流；最大输出功率等参数。 挑选分档，入库保管。 * 三.太阳电池组件的封装 单体太阳电池不能直接供电,需要提供机械、电气及化学等方面的保护。 太阳电池组件-有封装及内部连接的、能单独提供直流电输出的,最小不可分割的太阳电池组合装置。 * 组件封装工艺流程 电池分选 组合焊接 层压封装 测试包装 装接线盒 安装边框 白玻璃 EVA PVF 电池 互连条 * 1. 电池分选 用测试仪器将不同性能参数的太阳电池分档，把参数相近的太阳电池进行组合。 串联时要将工作电流相近的太阳电池串在一起；并联时要将工作电压相近的太阳电池连在一起。以提高太阳电池组件的性能。 * 2. 组合焊接 用金属互连条将电池的上、下电极按要求进行焊接，并清洗干净。 * 3.层压封装 上盖板常用低铁水白钢化玻璃，小型组件也有用聚丙烯酸类树脂、聚碳脂等材料。 电池两边用EVA， PVB透明薄膜覆盖。 电池背面常用聚氟乙烯(PVF)复合膜。 在层压机中抽真空加热加压后，冷却，固化。 * 4. 安装边框 平板太阳电池组件层压封装后必须加上经过氧化的鋁合金边框。边框与粘结剂构成对组件边缘的密封，同时也便于与支架固定连接。 * 5. 装接线盒 通常在组件背面安装接线盒,引出正、负电极. 接线盒要求防潮、防尘、密封.连接可靠,接线方便. * 6. 测试包装 在组件测试台上进行性能测试，在组件背面贴上铭牌，表明组件的主要参数，如：功率、伏-安特性曲线、最佳工作电压、最佳工作电流、开路电压、短路电流、填充因子等。 最后进行包装入库。 * 全自动组件生产线路示意图 * 电池 组件 方阵 * 全自动热交换铸锭炉 * 破锭机 * 线锯 * 扩散炉 * 等离子刻蚀机 * 太阳能模拟仪 * 层压机 * 纯水设备 * 第三章. 晶体太阳电池制造工艺 光伏产业链 * 一.硅材料制备工艺流程(西门子法) 硅砂 冶金硅 三氯氢 硅 多晶硅 盐酸 电炉 焦碳 还原 * 硅太阳电池制造过程 * 硅片制备 * 1.由硅砂到冶金硅 将石英砂放在大型电弧炉中,用焦碳进行还原。 SiO2+2C Si+2CO 硅定期从炉中倒出,并用氧气或氧-氯 混合气体吹之以进一步提纯。然后倒入浅槽,逐渐凝固,便成冶金硅 (含硅97%-99%) * 2.由冶金硅到三氯氢硅 将冶金硅破碎成粉末,与盐酸在液化床上进行反应,得到三氯氢硅(TCS)。 Si+3HCl SiHCl3+H2 * 3.由三氯氢硅到多晶硅 对三氯氢硅进行分馏,以达到超纯状态。 对超纯三氯氢硅用H2通过化学气相沉积(CVD)方法还原成多晶硅。 SiHCl3+H2 Si+3HCl * 4. 多晶硅锭的制造 由西门子法得到的多晶硅棒,因未掺杂等原因,不能直接用来制造太阳电池。 将熔化的硅经过定向凝固后,即可获得掺杂均匀,晶粒较大,成纤维状的多晶硅铸锭。 * 由硅砂到太阳电池组件 * 5.单晶硅棒的制造 (1) 切克劳斯基(CZ)法 在单晶炉中将硅熔化,并将籽晶引向融熔的硅液,然后一边旋转,一边提拉,融熔的硅就在同一方向定向凝固,得到单晶硅棒。