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[物理]数电第7章

RAM有三根线: 地址线(单向的):传送地址码 数据线(双向的):将数据码送入存储矩阵或从存储矩阵读出 读/写控制线:传送读/写命令 * 数字电路逻辑设计 * 1024 ×4位RAM * 数字电路逻辑设计 * 【书P368:图7.3.2】 SRAM的存储单元 静态存储单元是在SR锁存器的基础上附加门控管构成的,是靠锁存器的自保功能存储数据的。 六管NMOS静态存储单元【书P369:图7.3.3】 * 数字电路逻辑设计 * 六管NMOS静态存储单元 * 数字电路逻辑设计 * 工作原理 * 数字电路逻辑设计 * 7.4 存储器容量的扩展 当使用一片ROM或RAM器件不能满足对存储容量的需求时,则需要将若干ROM或RAM组合起来,构成更大容量的存储器。 存储容量的扩展方式有两种:位扩展方式和字扩展方式 * 数字电路逻辑设计 * 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM或ROM字数够用而位数不够时 接法:将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 * 数字电路逻辑设计 * 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM或ROM位数够用而字数不够时 特点:必须使用译码器 * 数字电路逻辑设计 * 例:用4片256×8位的RAM接成1024×8位RAM 每片地址输入端A0~A7(范围0 ~ 255) 增加地址代码A8、A9,将A9 A8的4种编码分别译成Y’ 0~Y’ 3 ,并分别控制4片RAM的CS’端 各片RAM电路的地址分配 * 数字电路逻辑设计 * 000H 0FFH 100H 1FFH 2FFH 3FFH 200H 300H RAM的字扩展接法 * 数字电路逻辑设计 * 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 基本原理 从ROM的数据表可见,若以地址线为输入变量,则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 译码器的输出包含了输入变量全部的最小项,每一位数据输出都是若干个最小项之和 * 数字电路逻辑设计 * 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 课堂例题 试用ROM设计一个八段字符显示的译码器,其真值表如书P377表7.5.2。 试用ROM产生如下的一组多输出逻辑函数 * 数字电路逻辑设计 * 先化为最小项之和的形式 * 数字电路逻辑设计 * 取4位地址输入、4位数据输出的16×4位ROM,将A、B、C、D分别接A3、 A2、 A1、 A0按照逻辑函数的要求存入相应的数据。 【书P380:表7.5.3】 在接入存储器件的矩阵交叉点上画一个圆点,以代替存储器件 * 数字电路逻辑设计 * 作业+预习 作业: [题7.5]; [题7.9]; [题7.10]; 下节预习内容: 可编程逻辑器件 * 数字电路逻辑设计 * 雪崩击穿 材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随之增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴在电场作用下获得的能量增大。在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞,通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子-空穴对。新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子,又产生新的自由电子-空穴对。如此连锁反应,使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加,流过PN结的电流就急剧增大,所以这种碰撞电离称为雪崩击穿,也称为电子雪崩现象。 * 数字电路逻辑设计 * 因为存储器几乎都作成LSI器件,所以这一章的重点内容是如何正确使用这些器件。存储器内部的电路结构不是课程的重点。 * * * * * * 数字电路逻辑设计 数字电路逻辑设计 LOGO 数字电路逻辑设计 P o w e r B a r 中国专业PPT设计交流论坛 数字电路逻辑设计 数字电路逻辑设计 LOGO 数字电路逻辑设计 第七章 半导体存储器 2009-2010学年第二学期 任课教师:赵研 本章内容 内容提要 本章系统地介绍各种半导体存储器的工作原理和使用方法,讲述了存储器扩展存储容量的连接方法以及用存储器设计组合逻辑电路的概念。 * 数字电路逻辑设计 * 7.1 概述 7.2 只读存储器 7.3 随机存储器 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实习组合逻辑函数 7.1 概述 存储器是计算机的重要部件,有记忆功能,用来存放指令代码和操作数。 * 数字电子技术基础 * 内存:主机内部由半导体器件构成 辅助存储器:位于主机外部用接口与主机连接 高速缓冲存储器(Cache):内存和微处理器之间 CPU 主存 Cache 辅存 块 页 字 存储器:存储大量二值信息(或称为二值数据)的半导体器件。 用途:在计算机或数字系统中存储数据。 与寄存器的区别: 以字为单位存取,每字包含若干位。 各个字的相同位通过同一引

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