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[理学]专题讲座：英文_CMOS工艺流程
Basic CMOS Process Flow
1. Shallow Trench Formation
2. Well Formation
3. Gate Formation
4. Source/Drain Formation
5. Silicide Formation
6. 1st Interconnect Layer
7. 2nd through Nth Interconnect Layer
8. Passivation
1
-
Silicon Epi Layer P
Basic CMOS Process Flow
~2 microns
Starting Point: Pure silicon wafer
(heavily-doped) with a lightly-
doped epitaxial (epi) layer.
~725 microns
An epi layer is used to provide a
cleaner layer for device formation
and to prevent “latch-up” of CMOS
transistors.
Silicon Substrate P+
2
1. Shallow Trench Formation
Grow Pad Oxide: A very thin (~200Å) layer of silicon dioxide (SiO )
2
is grown on the surface by reacting silicon and oxygen at high
temperatures. This will serve as a stress relief layer between the
silicon and the subsequent nitride layer.
Pad Oxide
-
Silicon Epi Layer P
Silicon Substrate P+
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